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Zitat:Original geschrieben von voltwide

Diese Nadeln sind bis zu einem gewissen Grade immer vorhanden, da ja bei Spannungswechseln die Kapazitäten irgendwie umgeladen werden müssen. Und bei entsprechend schnellem Umschalten können da schon mehrere 10A auftreten, für einige Nanosekunden. Das muß nicht per se destruktiv sein, und, wie gesagt, 100% vermeiden läßt sich das auch nicht.
Ein ganz anderer Schnack ist sogenannte Zwangskommutierung von Dioden, d.h. Dioden Abschalten durch Gegenstrom. Das betrifft z.B. bei Class-D Verstärkern die in den MOSFETs hausenden intrinsischen Dioden, vor allem dann, wenn die Totzeit etwas zu lang ist. Infolge Sperrverzögerung treten zusätzliche Stromspitzen auf, die durchaus destruktiv sein können. Wobei die Gefahr eines Ausfalles mit dem Laststrom zunimmt.
Davon abgesehen bleibt die Frage, wie realitätsnah die spice-Simulation in diesem Punkt ist. Ich habe da so meine Zweifel

Hallo voltwide,
würden sich die Nadeln mit einem eventuellen langsameren Umschalten reduzieren lassen? Aber dadurch würde wieder die Verlustleistung im Halbleiter größer werden? Annahme: Beim Umschalten (bei der Halbbrücke) fließt ein Querstrom von beispielsweise 30A für wenige ns. Der Halbleiter muss ja bekanntlich in der Lage sein, diesen Strom "zu tragen". Nach welchem Datenblattparameter muss ich da ausschau halten? Peak current?

Deine angesprochene Zwangskommutierung von Dioden habe ich noch nicht ganz verstanden. Wäre dir dankbar, wenn du das villeicht (für mich) etwas genauer erklären könntest.

Vielen Dank!