06.05.2010, 05:11 PM
Das Umschalten der inneren Kapazitätne liefert einen gewissen Beitrag zu Querströmen.
Die Miller-Kapazität ist die Rückwirkungskapazität zwischen drain und gate.
Sie verlangsamt die Anstiegsrate der drain-Spannung des Power-MOSFET beim Ein- oder Ausschalten,
d.h. es ergibt sich eine lineare Rampe wie beim Integrator, wobei der gate-Ansteuerstrom
und die Rückwirkungskapazität die bestimmenden Parameter sind.
Was Du da zeigst, sind IGBTs und keine MOSFETs
Ein entscheidender Unterschied!
Der IGBT-interne Leistungstransistor ist ein PNP-Typ, hat also die von BJTs her bekannten Abschaltverzögerungen, guckst Du mal unter "current tail".
Dies dürfte der wesentliche Beitrag zu Deiner cross-conduction sein.
Und ein Grund, einen weiten Bogen um IGBTs zu machen
Die Miller-Kapazität ist die Rückwirkungskapazität zwischen drain und gate.
Sie verlangsamt die Anstiegsrate der drain-Spannung des Power-MOSFET beim Ein- oder Ausschalten,
d.h. es ergibt sich eine lineare Rampe wie beim Integrator, wobei der gate-Ansteuerstrom
und die Rückwirkungskapazität die bestimmenden Parameter sind.
Was Du da zeigst, sind IGBTs und keine MOSFETs
Ein entscheidender Unterschied!
Der IGBT-interne Leistungstransistor ist ein PNP-Typ, hat also die von BJTs her bekannten Abschaltverzögerungen, guckst Du mal unter "current tail".
Dies dürfte der wesentliche Beitrag zu Deiner cross-conduction sein.
Und ein Grund, einen weiten Bogen um IGBTs zu machen
...mit der Lizenz zum Löten!