18.04.2010, 07:40 PM
50nC für Drain-Source schon recht stattliche MosFets, oder hohe Spannung.
Ich bezweifle, dass in dem NXP-Chip mit solchen Kanonen geschossen wird.
Aber selbst dann:
Nimm mal an, die Anstiegszeit beim Schalten sei 20ns.
Mit 1A Magnetisierungsstrom werden auch dann immerhin 20nC aus der Drossel geliefert.
20nC von insgesamt 50nC ist schon eine deutliche Entlastung.
Ich bezweifle, dass in dem NXP-Chip mit solchen Kanonen geschossen wird.
Aber selbst dann:
Nimm mal an, die Anstiegszeit beim Schalten sei 20ns.
Mit 1A Magnetisierungsstrom werden auch dann immerhin 20nC aus der Drossel geliefert.
20nC von insgesamt 50nC ist schon eine deutliche Entlastung.