07.04.2010, 06:32 PM
Ich denke für unsere Anwendung würde es reichen, die Sperrverzugsladung als
Kurzschluss über der Diode zu simulieren.
Und erst wenn die Sperrverzugsladung geflossen ist, oder die Diode eine Mindestzeit stromfrei war, dann die hyperbolische Funktion anzusetzen.
Das würde den Oszillogrammen beim Ausräumen entsprechen.
Während die Sperrverzugsladung ausgeräumt wird, bleibt die Spannung über Diode praktisch Null. Erst wenn der negative Ausräumstrom abreisst, steigt die Diodenspg an.
Hässlich ist das die Sperrverzugsladung sehr stark temperaturabhängig ist (nimmt mit steigender Temperatur zu, oft eine Verdoppelung zwischen 25C und 100C).
Zudem steigt sie ebenfalls an je schneller man sie ausräumen will.
D.h. je gewalstamer der gegenüberliegende MosFet mit Killer-di/dts hantiert, desto unwirtschaftlicher wird es. Deshalb sind induktive di/dt-Limiter während harter Schaltvorgänge sogar verlustreduzierend.
Kurzschluss über der Diode zu simulieren.
Und erst wenn die Sperrverzugsladung geflossen ist, oder die Diode eine Mindestzeit stromfrei war, dann die hyperbolische Funktion anzusetzen.
Das würde den Oszillogrammen beim Ausräumen entsprechen.
Während die Sperrverzugsladung ausgeräumt wird, bleibt die Spannung über Diode praktisch Null. Erst wenn der negative Ausräumstrom abreisst, steigt die Diodenspg an.
Hässlich ist das die Sperrverzugsladung sehr stark temperaturabhängig ist (nimmt mit steigender Temperatur zu, oft eine Verdoppelung zwischen 25C und 100C).
Zudem steigt sie ebenfalls an je schneller man sie ausräumen will.
D.h. je gewalstamer der gegenüberliegende MosFet mit Killer-di/dts hantiert, desto unwirtschaftlicher wird es. Deshalb sind induktive di/dt-Limiter während harter Schaltvorgänge sogar verlustreduzierend.