07.04.2010, 01:25 AM
Hallo Alfsch
Inzwischen hat ich mal im SCAD-Doc file geschmökert, da werden u.a. auch die MOSFET-Parameter von DMOS-Typen erläutert. Die Spannungsabhängigkeit der Kapazitäten wird auch modelliert mit einer hyperbolischen Funktion.
Immerhin. Vielleicht kommt man ja der Wahrheit schon ziemlich nahe,
wenn man extern gate-, source-, und drain-Serieninduktivitäten einfügt wie choco es vorschlägt.
Zur Beschreibung der Sperrverzugsladung noch einige Anmerkungen:
Wenn die intrinsische Diode 1uC gespeichert hat, wird durch den zwangs-kommutierenden Transistor ein Stromstoß von 1uC fließen, egal ob gegen 10V oder 100V kommutiert wird. Wenn Du einen auf 101V aufgeladenen 1uF-Kondensator nach 0V lädst, sind es dagegen 101uC.
Einer von uns beiden macht da einen Denkfehler
Inzwischen hat ich mal im SCAD-Doc file geschmökert, da werden u.a. auch die MOSFET-Parameter von DMOS-Typen erläutert. Die Spannungsabhängigkeit der Kapazitäten wird auch modelliert mit einer hyperbolischen Funktion.
Immerhin. Vielleicht kommt man ja der Wahrheit schon ziemlich nahe,
wenn man extern gate-, source-, und drain-Serieninduktivitäten einfügt wie choco es vorschlägt.
Zur Beschreibung der Sperrverzugsladung noch einige Anmerkungen:
Wenn die intrinsische Diode 1uC gespeichert hat, wird durch den zwangs-kommutierenden Transistor ein Stromstoß von 1uC fließen, egal ob gegen 10V oder 100V kommutiert wird. Wenn Du einen auf 101V aufgeladenen 1uF-Kondensator nach 0V lädst, sind es dagegen 101uC.
Einer von uns beiden macht da einen Denkfehler
...mit der Lizenz zum Löten!