07.04.2010, 12:40 AM
hier aus dem db des mosfet
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/PHP18NQ11T.pdf
die internen kapazitäten:
![[Bild: 18_c-real.png]](https://stromrichter.org/d-amp/content/images/18_c-real.png)
betrachtet man die reale änderung der internen kapazitäten, zb Cgs (etwa = Coss im bild) von 50pf bis zu 800pf (1) -je nach spannung am fet- , so ist klar: die resonanz dieser kapazitäten mit den induktiven anteilen der schaltung werden über einen recht weiten bereich frequenz-moduliert...
die c-änderungen sind noch dazu bei jedem mosfet individuell, abhängig von art und aufbau der inneren struktur, somit kann auch unser gutes SWCAD das wohl nie wirklich voll erfassen bzw simulieren (oder sollten wir mal ein "korrektes" modell für mosfet erstellen ?
)
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/PHP18NQ11T.pdf
die internen kapazitäten:
betrachtet man die reale änderung der internen kapazitäten, zb Cgs (etwa = Coss im bild) von 50pf bis zu 800pf (1) -je nach spannung am fet- , so ist klar: die resonanz dieser kapazitäten mit den induktiven anteilen der schaltung werden über einen recht weiten bereich frequenz-moduliert...
die c-änderungen sind noch dazu bei jedem mosfet individuell, abhängig von art und aufbau der inneren struktur, somit kann auch unser gutes SWCAD das wohl nie wirklich voll erfassen bzw simulieren (oder sollten wir mal ein "korrektes" modell für mosfet erstellen ?
)
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower