[ChocoHolic]

Zitat:Original geschrieben von voltwide

So weit bin ich in meiner Annäherung nicht gegangen, aber die Abstimmung des Snubbers auf RLC geht noch einen Schritt weiter und leuchtet mir ein. Du nimmst es wirklich sehr genau, Respekt!

...just ask Eva. Ohne ihr haette ich wohl etwas länger geknabbert, um die Snubberei stubenrein zu kriegen...

Zitat:Original geschrieben von voltwide
1nF als innere Kapazität Cds erscheint mir viel zu hoch, vor allem, wenn Betriebsspannung anliegt.Ich habe selbst keine Ahnung, inwieweit das komplexe kapazitive Verhalten von PowerMOSFET modelliert wird, also bin ich erstmal ziemlich skeptisch bei allen Simulationsergebnissen von dynamischen Vorgängen, die im (sub-) nano-Sekunden-Bereich liegen.

Ja, 1nF Drains-Source-Kapazitaet waere schon ein ziemlicher MonsterFet...
Drum hatte ich aufs Datenblatt verwiesen.
Aber für's Prinzip, um die Zusammenhänge zu verstehen, ist es ja wurscht.

Hinsichtlich ns-Simulationen habe ich auch so meine Vorbehalte.
Aber ich habe, nachdem ich damals den di/dt-Limiter ertüftelt hatte, die ganze Sache mal in LT-Spice reingeklopft und die Modelle des IRFB4321 haben in der Sim erstaunlich aehnliche Schaltvorgaenge gezeigt wie mein Prototyp.

Mal sehen wie gut meine aktuellen SIMs fuer meinen naechsten Amp sind....
Wird sich aber noch 1-2 Jahre ziehen. ...die fette SMPSU muss ich ja auch erst noch entwickeln...