06.04.2010, 10:59 PM
So weit bin ich in meiner Annäherung nicht gegangen, aber die Abstimmung des Snubbers auf RLC geht noch einen Schritt weiter und leuchtet mir ein. Du nimmst es wirklich sehr genau, Respekt!
1nF als innere Kapazität Cds erscheint mir viel zu hoch, vor allem, wenn Betriebsspannung anliegt.Ich habe selbst keine Ahnung, inwieweit das komplexe kapazitive Verhalten von PowerMOSFET modelliert wird, also bin ich erstmal ziemlich skeptisch bei allen Simulationsergebnissen von dynamischen Vorgängen, die im (sub-) nano-Sekunden-Bereich liegen.
1nF als innere Kapazität Cds erscheint mir viel zu hoch, vor allem, wenn Betriebsspannung anliegt.Ich habe selbst keine Ahnung, inwieweit das komplexe kapazitive Verhalten von PowerMOSFET modelliert wird, also bin ich erstmal ziemlich skeptisch bei allen Simulationsergebnissen von dynamischen Vorgängen, die im (sub-) nano-Sekunden-Bereich liegen.
...mit der Lizenz zum Löten!