06.04.2010, 06:58 PM
Ich schätze dein realer Aufbau hat weniger als 50nH je MosFet.
Zudem muessen noch die drei parasitären Kondensatoren je MosFet in die Simulation - Drain/Source, Drain/Gate, Gate/Source. Werte am besten aus dem MosFet-Datenblatt entnehmen.
Und wenn du es genauer haben willst, dann setze ca. 5nH in die Drainleitung, 7nH in die Sourceleitung, 5nH in die Gateleitung (Faustwerte für TO-220) und dann entsprechend deinem Layout je mm Leiterbahn ca. 0.5nH. Die Verbindung über die Massefläche kannst du mit wenigen einzelnen nH annehmen, oder einfach vernachlässigen.
Zudem muessen noch die drei parasitären Kondensatoren je MosFet in die Simulation - Drain/Source, Drain/Gate, Gate/Source. Werte am besten aus dem MosFet-Datenblatt entnehmen.
Und wenn du es genauer haben willst, dann setze ca. 5nH in die Drainleitung, 7nH in die Sourceleitung, 5nH in die Gateleitung (Faustwerte für TO-220) und dann entsprechend deinem Layout je mm Leiterbahn ca. 0.5nH. Die Verbindung über die Massefläche kannst du mit wenigen einzelnen nH annehmen, oder einfach vernachlässigen.