04.04.2010, 08:40 AM
Oeh...
Erst frage ich nach Bildern und sage ich nix dazu...
Die Bilder sind durchaus typisch. Die halbwegs hohe Frequenz
passt auf kleine Transistoren und ein Layout ohne grobe Suenden.
Die Höhe der Schwingungen ist doch schon so hoch, dass ich sie nicht
einfach so belassen würde. Wie kritisch es wirklich ist, lässt sich nur durch liebevolle Messung aller Signale (==> Funktionssicherheit) und Überprüfung in der EMV-Kammer beurteilen.
Ich für meinen Teil bin dazu übergegangen sie immer möglichst sauber wegzudämpfen. Ich liebe es, zu sehen wie der RCL-Dämpfer in unglaublicher Übereinstimmung mit banaler Schwingkreistheorie, die Schwingungen "wegzaubert". Evtl. mit einer kurzen rechnerischen Abschätzung im voraus, wie von Voltwide beschrieben (Das Lässt sich übrigens auch wunderschön simulieren und dann kann man mit L, C und R spielen...).
Die Messung von Gate nach Source ist üblicherweise feinfühliger als die Drain-Source-Messung, deshalb orientiere ich mich für die Feinabstimmung meist am Gate-Source-Signal des unteren MosFets.
Erst frage ich nach Bildern und sage ich nix dazu...
Die Bilder sind durchaus typisch. Die halbwegs hohe Frequenz
passt auf kleine Transistoren und ein Layout ohne grobe Suenden.
Die Höhe der Schwingungen ist doch schon so hoch, dass ich sie nicht
einfach so belassen würde. Wie kritisch es wirklich ist, lässt sich nur durch liebevolle Messung aller Signale (==> Funktionssicherheit) und Überprüfung in der EMV-Kammer beurteilen.
Ich für meinen Teil bin dazu übergegangen sie immer möglichst sauber wegzudämpfen. Ich liebe es, zu sehen wie der RCL-Dämpfer in unglaublicher Übereinstimmung mit banaler Schwingkreistheorie, die Schwingungen "wegzaubert". Evtl. mit einer kurzen rechnerischen Abschätzung im voraus, wie von Voltwide beschrieben (Das Lässt sich übrigens auch wunderschön simulieren und dann kann man mit L, C und R spielen...).
Die Messung von Gate nach Source ist üblicherweise feinfühliger als die Drain-Source-Messung, deshalb orientiere ich mich für die Feinabstimmung meist am Gate-Source-Signal des unteren MosFets.