21.03.2010, 12:15 PM
Stimmt die pnp-Transistoren sind falsch rum. Das sah schon komisch aus. Hat aber laut Simulation funktioniert.
Der hi-side Arbeitswiderstand von 10kohm wurden an 12V geschaltet und auf 300ohm reduziert.
Woran kann ich bei bipolaren Transistoren die Geschwindigkeit erkennen, bei Mosfets achte ich auf die Gatekapazität und auf die rise und fall time.
Eine integrierte Lösung wäre schon vorzuziehen. Hatte gerade kein Model parat. Somit ist die Transistorschaltung entstanden. Funktioniert aber laut simulation recht gut.
Wobei 135ns ist doch schon recht viel als risetime für die Mosfets.
Falltime liegt bei 30ns.
Wenn ich das richtig interpretiere ähnelt meine Schaltung. Der Linken auf diesem Bild.
Ich frage mich nur gerade wie ich die Oszillationsfrequenz berechnen kann.
Der hi-side Arbeitswiderstand von 10kohm wurden an 12V geschaltet und auf 300ohm reduziert.
Woran kann ich bei bipolaren Transistoren die Geschwindigkeit erkennen, bei Mosfets achte ich auf die Gatekapazität und auf die rise und fall time.
Eine integrierte Lösung wäre schon vorzuziehen. Hatte gerade kein Model parat. Somit ist die Transistorschaltung entstanden. Funktioniert aber laut simulation recht gut.
Wobei 135ns ist doch schon recht viel als risetime für die Mosfets.
Falltime liegt bei 30ns.
Wenn ich das richtig interpretiere ähnelt meine Schaltung. Der Linken auf diesem Bild.
Ich frage mich nur gerade wie ich die Oszillationsfrequenz berechnen kann.