09.01.2010, 01:18 PM
Hoppla, ich muss mein letztes Posting korrigieren.
Du hast Ic konstant gehalten.
Also vermischt dein Aufbau nur zwei Effekte.
Chiptemperatur und Uce.
Über die 25W Verluste im Kristall besteht wohl kein Zweifel.
Aber die resultierende Chiptemperatur ist damit eben noch nicht definiert, dafür muss man noch Temperaturmessungen und thermische Widerstände berücksichtigen.
Im DB vom 2SC5449 habe ich leider keine thermischen Widerstände gefunden aber aus der Kennlinie für Leistungsderating 50W bei 25°C und 0W bei 150°C lässt sich der thermische Widerstand zwischen Chip und Metallfläche des Transistors bestimmen. 2,5K/W.
Dann schätzen wir mal etwa 0,5K/W für den Übergang von Transistor zum Kühlkörper. Macht also in Summe ca. 3K/W.
Bei 25W kannst du also davon ausgehen, dass der Silziumkristall etwa um 75K wärmer wird als dein Kühlkörper nahe dem Transistor.
Hinsichtlich SOA sollte es auch keine Probleme geben.
Der Bereich des Secondary Breakdown beginnt beim 2SC5449 erst ab 400V.
Solange du dir also an dem Kühlkörper nicht die Finger verbrennst, sollte auch der Chip innen mit 25W bei 250V keine Probleme haben.
Ich zweifle deine Messergebnisse nicht an.
Schon gar nicht seit dem einen Blick ins DB des 2SC5499 geworfen habe.
Die Typical Output Charakteristic zeigt bei der Kennlinie für 0.2A Basisstrom ca. 16% Anstieg des Kollektorstromes bei Verdoppelung der Uce von 5V auf 10V.
Wenn man das in Richtung 250V hochrechnet, dann steigt der Kollektorstrom mit dieser Spannungsänderung um ca. den Faktor 2.3 an.
Nun ist dein Arbeitspunkt aber bei Basisströmen von weit unter 0.2A und im Kennlinienfeld weisen die Linien für niedrigere Basisströme eine höhere Uce-Abhängigkeit auf... Also ist alleine von der Spannung mehr als der Faktor 2.3 zu erwarten.
Zusammen mit der Temperatur ist der von dir gemessene Faktor 3 leicht glaubhaft.
Trotzdem: Ohne Angabe einer halbwegs sinnvoll abgeschätzten Chiptemperatur, sind deine Messungen nur eine halbe Sache - auch wenn hier im Falle des 2SC4599 IMHO die Spannungsabhängigkeit der dominante Faktor ist.
Du hast Ic konstant gehalten.
Also vermischt dein Aufbau nur zwei Effekte.
Chiptemperatur und Uce.
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Die Chiptemperatur ist definiert! Und zwar dadurch, dass in Darius Schaltung 25 Watt im BJT-Kristall umgesetzt werden. Diese 25 Watt bei Ub=250V sind eine feste Vorgabe.
(Wir können uns jetzt darüber unterhalten, ob mein 2SC5449 diese 25 Watt überhaupt abkann, wenn der KK noch völlig kalt ist.)
Aber über die 25 Watt Verluste im Kristall können wir uns nicht unterhalten. Die werden in Darius Aufbau und in meinem Aufbau gleichermaßen umgesetzt.
Und bei der Aufheizung des Kristalls mit 25 Watt reduziert sich der Basisstrom (bei konstantem Kollektorstrom) in der gemessenen Weise. Ich weiß nicht, was ein anderen Aufbau an diesem Ergebnis ändern soll oder könnte... echt nicht.
Über die 25W Verluste im Kristall besteht wohl kein Zweifel.
Aber die resultierende Chiptemperatur ist damit eben noch nicht definiert, dafür muss man noch Temperaturmessungen und thermische Widerstände berücksichtigen.
Im DB vom 2SC5449 habe ich leider keine thermischen Widerstände gefunden aber aus der Kennlinie für Leistungsderating 50W bei 25°C und 0W bei 150°C lässt sich der thermische Widerstand zwischen Chip und Metallfläche des Transistors bestimmen. 2,5K/W.
Dann schätzen wir mal etwa 0,5K/W für den Übergang von Transistor zum Kühlkörper. Macht also in Summe ca. 3K/W.
Bei 25W kannst du also davon ausgehen, dass der Silziumkristall etwa um 75K wärmer wird als dein Kühlkörper nahe dem Transistor.
Hinsichtlich SOA sollte es auch keine Probleme geben.
Der Bereich des Secondary Breakdown beginnt beim 2SC5449 erst ab 400V.
Solange du dir also an dem Kühlkörper nicht die Finger verbrennst, sollte auch der Chip innen mit 25W bei 250V keine Probleme haben.
Ich zweifle deine Messergebnisse nicht an.
Schon gar nicht seit dem einen Blick ins DB des 2SC5499 geworfen habe.
Die Typical Output Charakteristic zeigt bei der Kennlinie für 0.2A Basisstrom ca. 16% Anstieg des Kollektorstromes bei Verdoppelung der Uce von 5V auf 10V.
Wenn man das in Richtung 250V hochrechnet, dann steigt der Kollektorstrom mit dieser Spannungsänderung um ca. den Faktor 2.3 an.
Nun ist dein Arbeitspunkt aber bei Basisströmen von weit unter 0.2A und im Kennlinienfeld weisen die Linien für niedrigere Basisströme eine höhere Uce-Abhängigkeit auf... Also ist alleine von der Spannung mehr als der Faktor 2.3 zu erwarten.
Zusammen mit der Temperatur ist der von dir gemessene Faktor 3 leicht glaubhaft.
Trotzdem: Ohne Angabe einer halbwegs sinnvoll abgeschätzten Chiptemperatur, sind deine Messungen nur eine halbe Sache - auch wenn hier im Falle des 2SC4599 IMHO die Spannungsabhängigkeit der dominante Faktor ist.