30.08.2009, 10:32 PM
Auch die drain-gate-Kapazität von MOSFETs ist spannungsabhängig.
Und da die Stromverstärkung eine MOSFETS ja recht hoch ist,
könnte man die wenigen 10 oder 100pF hochverstärken
in den nF oder uF -Bereich. Das nur mal so als unausgegorene
Idee im frühesten beta-Stadium.
Und da die Stromverstärkung eine MOSFETS ja recht hoch ist,
könnte man die wenigen 10 oder 100pF hochverstärken
in den nF oder uF -Bereich. Das nur mal so als unausgegorene
Idee im frühesten beta-Stadium.
...mit der Lizenz zum Löten!