27.08.2009, 10:35 PM
Also der obige Schaltplan zeigt imho so einige Ungereimtheiten:
Der obere Leistungstransistor ist falsch bezeichnet, hier
gehört ein MJ2955 o. Ähnliches hin.
Der invertierende Eingang des Differenzverstärkerw
wird über 2x 100uF an Masse gelegt. Was soll das?
Die sogenannten Emitterwiderstände liegen in den
Kollektorleitungen der Transistoren und verheizen
zwar Energie, tragen aber nichts bei zur thermischen
Stabilisierung: Der Ruhestrom ist thermisch instabil.
Die Topologie der Ausgangsstufe wo die Leistungstransistoren
in Emitterschaltung arbeiten verspricht zwar geringere
Verzerrungen aufgrund der zusätzlichen Spannungsverstärkugen,
ist aber nicht so stabil wie einfache Emitterfolger.
Vor allem das Abschaltverhalten des 3055 mit 100R
Basiswiderstand ist schon ziemlich schlecht,
besser funktioniert das wenn die beiden
Endtransistoren als einfache Emitterfolger arbeiten
wobei dann von den davorgeschalteten Treibern auch
forciertes Ausräumen der Basis möglich ist.
Hinreichend schnelles Abschalten der Endtransistoren
ist von vitaler Bedeutung, wenn man sichergehen will,
dass nicht bei der ersten Verkopplung mit
Schwingfrequenzen oberhalb 20kHz die Transistoren
sofort abrauchen. Und spatestens an dieser Stelle
erkennt man, das PowerMOSFETs wesentlich robuster
sind als das "Arbeitspferd der Elektronik"
Der obere Leistungstransistor ist falsch bezeichnet, hier
gehört ein MJ2955 o. Ähnliches hin.
Der invertierende Eingang des Differenzverstärkerw
wird über 2x 100uF an Masse gelegt. Was soll das?
Die sogenannten Emitterwiderstände liegen in den
Kollektorleitungen der Transistoren und verheizen
zwar Energie, tragen aber nichts bei zur thermischen
Stabilisierung: Der Ruhestrom ist thermisch instabil.
Die Topologie der Ausgangsstufe wo die Leistungstransistoren
in Emitterschaltung arbeiten verspricht zwar geringere
Verzerrungen aufgrund der zusätzlichen Spannungsverstärkugen,
ist aber nicht so stabil wie einfache Emitterfolger.
Vor allem das Abschaltverhalten des 3055 mit 100R
Basiswiderstand ist schon ziemlich schlecht,
besser funktioniert das wenn die beiden
Endtransistoren als einfache Emitterfolger arbeiten
wobei dann von den davorgeschalteten Treibern auch
forciertes Ausräumen der Basis möglich ist.
Hinreichend schnelles Abschalten der Endtransistoren
ist von vitaler Bedeutung, wenn man sichergehen will,
dass nicht bei der ersten Verkopplung mit
Schwingfrequenzen oberhalb 20kHz die Transistoren
sofort abrauchen. Und spatestens an dieser Stelle
erkennt man, das PowerMOSFETs wesentlich robuster
sind als das "Arbeitspferd der Elektronik"
...mit der Lizenz zum Löten!