15.03.2009, 10:46 PM
Grundsätzlich sind die Ausgangsfilter unserer D-Amps ein echter Flaschenhals.
Aber aus Schaltfrequenz und erwünscht geringem HF-Ripple ergeben sich eher lahme Ausgangsfilter. Zumindest wenn man bei zweiter Ordnung bleibt.
Wenn man zu höheren Ordnungen geht, wird es immer schwieriger ein anständiges Rechteckübertragungsverhalten zu bewerkstelligen.
...der Ruf nach höheren Schaltfrequenzen zwingt sich schon wieder auf.
Ich habe das an meinem Bastelprototypen mal probiert.
Zunächst habe ich die Snubber umdesigned. Die ursprünglich 500pF+10 Ohm
machen bei 1MHz und +/-60V wenig Freude.
Jetzt sind es 226pF + 24 Ohm. Parasitäre Snubberinduktivität soweit angehoben, dass die Resonanzen halt wieder passen und der Snubber sauber daempft.
Wunder der aktuellen MosFets-Technik... ..es tut.. ...einfach so...
Hier ein ScreenShot der Uds vom unteren MosFet im Betrieb mit +/-60V bei 1MHz
Edit Skalierung:
Uds des unteren MosFet: 20V/Div. Zeitachse 100ns/Div.
![[Bild: 352_Uds1MHz.jpg]](https://stromrichter.org/d-amp/content/images/352_Uds1MHz.jpg)
Und wenn in zwei-drei Jahren die neuen GaN-Devices was ganz Normales aufm Markt sind, dann wird's echt easy - ohne die Sorgen beim Gate Drive und ohne Kopfstände wegen den zur Zeit noch lausigen Bodydioden...
http://www.irf.com/product-info/ganpowir...npowir.pdf
Bleibt eigentlich nur noch das Layout als kniffliger Punkt.
BTW
IMHO ist ca. 700kHz nicht nur etwas worauf IR hinoptimiert.
Auch aus Audiosicht ist 700kHz nach 350kHz die nächste sinnvolle Frequenz. Das passt gut auf das 32-fache von üblichen Samplingfrequenzen, wenn man das System synchronisieren will.
Aber aus Schaltfrequenz und erwünscht geringem HF-Ripple ergeben sich eher lahme Ausgangsfilter. Zumindest wenn man bei zweiter Ordnung bleibt.
Wenn man zu höheren Ordnungen geht, wird es immer schwieriger ein anständiges Rechteckübertragungsverhalten zu bewerkstelligen.
...der Ruf nach höheren Schaltfrequenzen zwingt sich schon wieder auf.
Ich habe das an meinem Bastelprototypen mal probiert.
Zunächst habe ich die Snubber umdesigned. Die ursprünglich 500pF+10 Ohm
machen bei 1MHz und +/-60V wenig Freude.
Jetzt sind es 226pF + 24 Ohm. Parasitäre Snubberinduktivität soweit angehoben, dass die Resonanzen halt wieder passen und der Snubber sauber daempft.
Wunder der aktuellen MosFets-Technik... ..es tut.. ...einfach so...
Hier ein ScreenShot der Uds vom unteren MosFet im Betrieb mit +/-60V bei 1MHz
Edit Skalierung:
Uds des unteren MosFet: 20V/Div. Zeitachse 100ns/Div.
Und wenn in zwei-drei Jahren die neuen GaN-Devices was ganz Normales aufm Markt sind, dann wird's echt easy - ohne die Sorgen beim Gate Drive und ohne Kopfstände wegen den zur Zeit noch lausigen Bodydioden...
http://www.irf.com/product-info/ganpowir...npowir.pdf
Bleibt eigentlich nur noch das Layout als kniffliger Punkt.
BTW
IMHO ist ca. 700kHz nicht nur etwas worauf IR hinoptimiert.
Auch aus Audiosicht ist 700kHz nach 350kHz die nächste sinnvolle Frequenz. Das passt gut auf das 32-fache von üblichen Samplingfrequenzen, wenn man das System synchronisieren will.