[Benno]

Habe in der Richtung Ein- / Ausschaltverzerrungen von Endtransistoren einmal eine ganz einfache Simulation gemacht. Dabei stellte sich heraus, das die Schottky Dioden + Minimalstrom Minik scheinbar überhaupt Nichts bringt. Im Gegenteil, nimmt man große Schottky's, mit Iave=7,5A ist das Ergebnis scheinbar schlechter als ohne Schottky's und einfach mit 2N3055. Auch ein zusätzlicher Minimalstrom liefert scheinbar schlechtere Ergebnisse, als die herkömmliche Verschaltung ohne den ganzen "Schottky + Minimalstrom Firlefanz".
ABER: Es ist ein signifikanter Unterschied, ob man den Kollektorstrom oder den Emitterstrom betrachtet. Der Kollektorstrom ist auch bei hohen Frerquenzen so wie es sein sollte, wird exakt ein- und wieder ausgeschaltet mit etwa einer e-Funktion. Im Emitterstrom ist dagegen ein Überschwingen, eine deutliche Basis Entlade-Stromspitze zu erkennen. Ich folgere nun daraus, das die Endtransistoren in Emitterschaltung (Last im Kollektorkreis) wesentlich bessere Ergebnisse liefern sollten, als wenn sie als Emitterfolger (Last am Emitter) betrieben werden. Weiterhin ist dabei deutlich erkennbar, das mit sinkender Treiber Ausgangsimpedanz diese Entlade-Stromspitze im Betrag stark zunimmt und dafür in der Dauer abnimmt. Diese Entlade - Stromspitze ist im Kollektorstrom überhaupt nicht erkennbar.



Überrascht hat mich das Verhalten eines Mosfets. Da liest man immer wieder von sehr hoher Eingangs- und Millerkapazität, aber in der Simulation konnte ich im Sourcestrom überhaupt keine Entlade Stromspitze erkennen. Es scheint, als ob Power Mosfets wesentlich besser und exakter ein- und ausschalten können, als Ihre bipolaren Vettern.
Ich werde nun versuchen, diese Erkenntnisse in Endstufen Simulationen zu vergleichen - einmal Endtransis als Folger, einmal in Emitterschaltung und dasselbe mit MOSFETS. Bin schon gespannt, was dabei raus kommt.

https://stromrichter.org/d-amp/content/i...rungen.asc

Euer Mario