30.06.2008, 07:24 PM
...Einschränkungen bei sehr kurzen Pulsen finden sich in allen Datenblättern. Leider wird üblicherweise weder spezifiziert was man dann zu erwarten hat, noch auf Grund welcher Bauteileigenschaften diese Einschränkungen zustande kommen.
Vergleichbar sind diese Angaben auch nicht....
Grundsätzlich würde ich jedoch bei Bauteilen mit hoher Präzision und geringen Delaytimes weniger Ärger befürchten.
8ns Anstiegszeit bei 1nF Last bringen schon was.
Man kann normale MosFets direkt treiben.
1nF&12V macht 12nC. Viele MosFets haben aber eher 50nC...100nC Gatecharge. Bei lauen Treibern dauerts dann ewig. 3A sind da schon hilfreich.
Die geringen Propagation Delays führen zu halbwegs definierten Zeitbereichen, wo man erwarten kann, dass Ugs in die Pötte kommt.
Letzendlich alles genau die Eigenschaften, die man braucht wenn man seine Totzeiteinstellung sauber machen will. ...und die Totzeiteinstellung ist wiederum der Schlüssel zu geringem THD (IMHO).
Vergleichbar sind diese Angaben auch nicht....
Grundsätzlich würde ich jedoch bei Bauteilen mit hoher Präzision und geringen Delaytimes weniger Ärger befürchten.
8ns Anstiegszeit bei 1nF Last bringen schon was.
Man kann normale MosFets direkt treiben.
1nF&12V macht 12nC. Viele MosFets haben aber eher 50nC...100nC Gatecharge. Bei lauen Treibern dauerts dann ewig. 3A sind da schon hilfreich.
Die geringen Propagation Delays führen zu halbwegs definierten Zeitbereichen, wo man erwarten kann, dass Ugs in die Pötte kommt.
Letzendlich alles genau die Eigenschaften, die man braucht wenn man seine Totzeiteinstellung sauber machen will. ...und die Totzeiteinstellung ist wiederum der Schlüssel zu geringem THD (IMHO).