12.01.2008, 02:01 PM
Die Taktfrequenz momentan etwa 315kHz, bzw. soll bei Synchronisierung mit nem digitalen Audiosignal 352kHz sein.
...die 11nH zuzueglich der parasitaeren 5nH im Sourcepfad des TO220, liefern einen schoen definierten di/dt limiter. Mit diesen Parametern etwa 500A/us.
Wozu man so was braucht? Beim Hard-Switching mit der Bodydiode.
1. Qrr ist abhaenging davon wie gewaltsam man die Diode ausräumt.
2. Das Rueckschnappen des ReverseRecoveryPeak ist auch abhaengig davon wie gewaltsam man die Diode ausräumt.
3. Das resultierende du/dt waehrend die Bodydiode noch nicht vollstaendig sperrt kann sehr hoch werden, wenn die Diode zu schnell ausgeraeumt wird. Die meisten MosFets erlauben da nur 5...6kV/us.
Die paar nH ergeben einen di/dt-proportionalen Spannungsabfall.
Der Refernzpunkt des Treibers ist unterhalb der Induktivitaet angekoppelt und Ugs wird um u=L*di/dt reduziert (bzw. addiert bei fallenden Stromflanken). Daraus ergibt sich eine superschnelle schoene Gegenkopplung, mit der man di/dt sauber begrenzen kann.
Fuer Ugs ergibt sich ein di/dt-Regler-Plateau, bitte nicht mit dem Millerplateau verwechseln.
Upper trace:
Uds of the lower MosFet, 50V per grid
Middle trace:
Ugs of the lower MosFet, 5V per grid
Lower trace:
di/dt in the source path of the lower MosFet, 900A/us per grid
...die 11nH zuzueglich der parasitaeren 5nH im Sourcepfad des TO220, liefern einen schoen definierten di/dt limiter. Mit diesen Parametern etwa 500A/us.
Wozu man so was braucht? Beim Hard-Switching mit der Bodydiode.
1. Qrr ist abhaenging davon wie gewaltsam man die Diode ausräumt.
2. Das Rueckschnappen des ReverseRecoveryPeak ist auch abhaengig davon wie gewaltsam man die Diode ausräumt.
3. Das resultierende du/dt waehrend die Bodydiode noch nicht vollstaendig sperrt kann sehr hoch werden, wenn die Diode zu schnell ausgeraeumt wird. Die meisten MosFets erlauben da nur 5...6kV/us.
Die paar nH ergeben einen di/dt-proportionalen Spannungsabfall.
Der Refernzpunkt des Treibers ist unterhalb der Induktivitaet angekoppelt und Ugs wird um u=L*di/dt reduziert (bzw. addiert bei fallenden Stromflanken). Daraus ergibt sich eine superschnelle schoene Gegenkopplung, mit der man di/dt sauber begrenzen kann.
Fuer Ugs ergibt sich ein di/dt-Regler-Plateau, bitte nicht mit dem Millerplateau verwechseln.
Upper trace:
Uds of the lower MosFet, 50V per grid
Middle trace:
Ugs of the lower MosFet, 5V per grid
Lower trace:
di/dt in the source path of the lower MosFet, 900A/us per grid