30.07.2007, 02:46 PM
nun zur frage, wann "stört" die back-diode bei einem d-amp oder was kann man aus den datenblatt Trr und Qrr denn folgern?
einige facts:
-die diode geht über die gesamte chip-fläche, kann daher etwa den gleichen strom verkraften, wie der fet selbst in vorwärts-richtung
-die diode ist extrem schnell ---im einschalten
-die grosse fläche ergibt aber auch ein grosses volumen im chip, wo erstmal ladungsträger gespeichert sein können
-je höher die sperrspannung des fet, desto grösser muss (logisch) der abstand von d nach s sein, damit wird das "speicher-volumen" grösser
-zum abschalten der diode muss der "speicher-bereich" von ladungsträgern geleert werden, dh, es muss ein stromfluss auftreten, der den sperrbereich (die n- epi schicht im bild) freiräumt
sooo: stellen wir uns mal vor, die diode bekommt einen kräftigen strom vorwärts rein: sie hat dann rund 1v spannung, die sperrzone ist voll ladungsträgern; nu kehren wir (d-amp schaltet um...) die spannung an der diode um: es kommt immer noch strom durch die diode!
jetzt kommts: Qrr sagt uns, wie gross die ladungsmenge ist, die jetzt erstmal raus muss, bis das ding sperren kann. zum einfachen vorstellen: (irf640n) Qrr rund 1uC , das entspricht bei 1v spg. einem kondensator mit 1 uF ! schaltet also zb der obere fet bei +100v ein, die diode des unteren war on, = -1v, "sieht" der obere fet erstmal einen kondensator mit 1uF bei 101v spannung !!! daß sowas einen gewaltigen energie-stoss ergibt, wenn der obere fet nun -zack- einschaltet, sollte jetzt klar sein...
ebenso wird klarer: je mehr Qrr "drin" sind, desto katastophaler die umschaltung wird...und je schneller der obere fet einschaltet, desto höher der strom-peak durch beide...bis zur zerstörung...
einige facts:
-die diode geht über die gesamte chip-fläche, kann daher etwa den gleichen strom verkraften, wie der fet selbst in vorwärts-richtung
-die diode ist extrem schnell ---im einschalten
-die grosse fläche ergibt aber auch ein grosses volumen im chip, wo erstmal ladungsträger gespeichert sein können
-je höher die sperrspannung des fet, desto grösser muss (logisch) der abstand von d nach s sein, damit wird das "speicher-volumen" grösser
-zum abschalten der diode muss der "speicher-bereich" von ladungsträgern geleert werden, dh, es muss ein stromfluss auftreten, der den sperrbereich (die n- epi schicht im bild) freiräumt
sooo: stellen wir uns mal vor, die diode bekommt einen kräftigen strom vorwärts rein: sie hat dann rund 1v spannung, die sperrzone ist voll ladungsträgern; nu kehren wir (d-amp schaltet um...) die spannung an der diode um: es kommt immer noch strom durch die diode!
jetzt kommts: Qrr sagt uns, wie gross die ladungsmenge ist, die jetzt erstmal raus muss, bis das ding sperren kann. zum einfachen vorstellen: (irf640n) Qrr rund 1uC , das entspricht bei 1v spg. einem kondensator mit 1 uF ! schaltet also zb der obere fet bei +100v ein, die diode des unteren war on, = -1v, "sieht" der obere fet erstmal einen kondensator mit 1uF bei 101v spannung !!! daß sowas einen gewaltigen energie-stoss ergibt, wenn der obere fet nun -zack- einschaltet, sollte jetzt klar sein...
ebenso wird klarer: je mehr Qrr "drin" sind, desto katastophaler die umschaltung wird...und je schneller der obere fet einschaltet, desto höher der strom-peak durch beide...bis zur zerstörung...
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower