[Basstler]

Jepp erkannt. Da die Fets ohne hin langsamer abschalten, wird das ganze ohne Gatewiderstände gemacht, also über die Dioden geführt.
Zu den Dioden über den Fets...Bei IRF sind die internen Inversdioden so ausgelegt, dass sie den selben Strom (betragsmässig) tragen können, wie der Fet selbst.
Daher ist es für die meisten Anwendungen nicht nötig dort extra welche einzusetzen.
Als Überspannungsschutz sind nur Transildioden geeignet. Das sind im Prinzip Zenerdioden, die auf hohe Impulsleistung getrimmt sind.
Die sind recht schnell und als Überspannungsableiter bestens geeignet.
Nur in einer Brückenschaltung haben sie einen bösen Nachteil, da sie ziemlich schlagartig leitend werden, schützen sie zwar den betroffenen Fet
zuverlässig vor Überspannung, aber bilden einen Kurzschluss der den Fet gegenüber zerschiesst.
Ist die Spannung wieder runter gehts dem bis eben geschützten Fet an den Kragen.....
Äusserst suboptimal....
Abhilfe, ist als vorerst letzte Änderung geplant, ich packe zu den Dioden einen 5 Ohm Widerstand in Reihe.
Der begrenzt den Strom und die Fets dürfen weiter leben.
Selbige Typen (nur mit entsprechender Spannung) packe ich immer direkt beim Fet zwischen Gate und Source um selbiges zu schützen.
Das Gate eines Mosfets ist der grösste Schwachpunkt. Eine recht dünne Oxidschicht bildet dort die Isolation und die reagiert sehr empfindlich auf
Überspannungen (>30V).

So, hänge mich erstmal an OrCad und aktualisiere den Plan.
Bis später