28.11.2005, 07:55 PM
Ich bezieh mich auf den Artikel:
Eine symmetrische Id/Uds-Kennlinie um den Nullpunkt ergibt sich automatisch, sobald der "Inverstransistor" genutzt wird: durch Ansteuerung des Gates im Inversbetrieb erreichbar.
Das kriegen wir aber ja wegen der notwendigen deadtime nicht hin.
Also müssen wir dafür sorgen, daß die externe Invers-Schottky eine ähnliche Durchlaßkennlinie hat, wie der VMOS.
Möglicherweise sind auch genau deratige MOS/Schottky-Dioden-Kombinationen mit "speziellen MOS" gemeint....
Eine symmetrische Id/Uds-Kennlinie um den Nullpunkt ergibt sich automatisch, sobald der "Inverstransistor" genutzt wird: durch Ansteuerung des Gates im Inversbetrieb erreichbar.
Das kriegen wir aber ja wegen der notwendigen deadtime nicht hin.
Also müssen wir dafür sorgen, daß die externe Invers-Schottky eine ähnliche Durchlaßkennlinie hat, wie der VMOS.
Möglicherweise sind auch genau deratige MOS/Schottky-Dioden-Kombinationen mit "speziellen MOS" gemeint....