16.11.2005, 12:48 PM
Das Prinzip, den Strom durch einem MOSFET über seinen R_DSon im eingeschalteten Zustand zu messen, wurde bereits in Siemens-Applikationsschriften Ende der 70er des 20sten erwähnt. Es gibt sogar eine ( inzwischen etwas veraltete ) Applikation von Siemens, wo ein DC-DC-Wandler für Car-Hifi von 12V auf +-25V vorgestellt wird, wo eine mit CMOS-Logik aufgebaute Schutzschaltung nach diesem Prinzip arbeitet.
Ansonsten habe ich das Datenblatt des IRS20124 so verstanden, dass die Totzeit nicht zwischen 15ns und 45ns "variiert", sondern in mehreren diskreten Stufen in diesem Bereich eingestellt werden kann, wobei die jeweils gewählte Stufe mit einem externen Spannungsteiler voreingestellt wird.
Beobachter
Ansonsten habe ich das Datenblatt des IRS20124 so verstanden, dass die Totzeit nicht zwischen 15ns und 45ns "variiert", sondern in mehreren diskreten Stufen in diesem Bereich eingestellt werden kann, wobei die jeweils gewählte Stufe mit einem externen Spannungsteiler voreingestellt wird.
Beobachter