10.11.2005, 12:55 PM
Als nächstes sind die statischen Ausgangswerte zu erfassen.
Bei Ub=4.5V und 25°C fällt laut Datenbuch bei einem Ausgangsstrom von 4mA gegen Masse am source-Ausgangstransistor eine Spannung von typ. 300mV ab.
Für MOS-Strukturen ist Angabe eines Source-Widerstands zweckmäßig (man kann alternativ auch Ströme einprägen), der schnell zu 75 Ohm (300mV / 4mA) errechnet wird und als Rsource eingetragen und getestet wird:
![[Bild: 1_pic134.jpg]](https://stromrichter.org/d-amp/content/images/1_pic134.jpg)
Der Spannungsabfall beträgt bei 4mA Belastung, genau wie vorgegeben, also 300mV (4.5V - 4.2V).
Bei Ub=4.5V und 25°C fällt laut Datenbuch bei einem Ausgangsstrom von 4mA gegen Masse am source-Ausgangstransistor eine Spannung von typ. 300mV ab.
Für MOS-Strukturen ist Angabe eines Source-Widerstands zweckmäßig (man kann alternativ auch Ströme einprägen), der schnell zu 75 Ohm (300mV / 4mA) errechnet wird und als Rsource eingetragen und getestet wird:
Der Spannungsabfall beträgt bei 4mA Belastung, genau wie vorgegeben, also 300mV (4.5V - 4.2V).