06.11.2005, 04:16 PM
Ich verstehe eine grundsätzliche Sache nicht, sixtas.
Die Gate-Beschaltung Deiner MOS-Fets ist in Verbindung mit der Eingangskapazität (Cin) schon ein kompletter Totzeitgenerator (das genau ist auch der Grund, warum Amperichers und Alfschs Schaltungen überhaupt funktionieren). Das Prinzip: R(Cin)-Kombination beim Einschalten verzögert stärker als die im Gegenzweig stattfindende Diodenentladung von Cin.
Schauen wir uns mal die untere Gatebeschaltung mit aktivem Totzeitgeber an:
R8 erstatzlos streichen (= überbrücken).
Emitter von T6 direkt aufs Gate (schnellere Entladung ohne D6-Serienwiderstand).
D6 also ersatzlos rauswerfen.
mit R6 rumprobieren, bis MOS-Querströme aufhören (das ist der eigentliche Totzeitgeber).
....und natürlich Basen von Q5/Q6 einfach miteinander verbinden und vom Komparator aus treiben
Die Gate-Beschaltung Deiner MOS-Fets ist in Verbindung mit der Eingangskapazität (Cin) schon ein kompletter Totzeitgenerator (das genau ist auch der Grund, warum Amperichers und Alfschs Schaltungen überhaupt funktionieren). Das Prinzip: R(Cin)-Kombination beim Einschalten verzögert stärker als die im Gegenzweig stattfindende Diodenentladung von Cin.
Schauen wir uns mal die untere Gatebeschaltung mit aktivem Totzeitgeber an:
R8 erstatzlos streichen (= überbrücken).
Emitter von T6 direkt aufs Gate (schnellere Entladung ohne D6-Serienwiderstand).
D6 also ersatzlos rauswerfen.
mit R6 rumprobieren, bis MOS-Querströme aufhören (das ist der eigentliche Totzeitgeber).
....und natürlich Basen von Q5/Q6 einfach miteinander verbinden und vom Komparator aus treiben