20.10.2005, 09:40 AM
t_high : t_low
100ns : 900ns --> 27As
500ns : 500ns --> 16As
900ns : 100ns --> 12As
Ich könnte mir gut vorstellen, daß der Effekt einfach mit dem unterschiedlichen Schaltzeiten des P- und N-MOS zusammenhängt.
100ns : 900ns --> 27As
500ns : 500ns --> 16As
900ns : 100ns --> 12As
Ich könnte mir gut vorstellen, daß der Effekt einfach mit dem unterschiedlichen Schaltzeiten des P- und N-MOS zusammenhängt.