08.09.2005, 06:26 PM
Mir steht erstmal der zu erhoffende Lernerfolg vor dem Endziel, ein wirklich zuverlässiges HF-taugliches Modell zu kreieren.
LTSpice hat das Gummel-Poon-Modell noch verfeinert/erweitert, erklärt die LTSpice-Hilfe. Möglicherweise, weil die SUBCKT-Durchrechnung durch das Instant-Modell umgangen und daher beschleunigt werden kann.
Wenn wir also die Grundlagen begriffen haben, so können wir das ganze noch beliebig ausbauen. Wahlweise per SUBCKT oder per Modell-verfeinerungen. Allerdings werden uns die verfügbaren Datenblätter vermutlich auch frühe Grenzen aufzeigen.
Das mit dem kompletten Rauszeichnen des Modells kann ich mir sparen. Wenn ich Re=Rc=Rb=0 setze, hab ich das innere Modell freigelegt.
Zuerst wollte ich damit eine simple "Ic/Ube"-Kurve hinkriegen.
Dazu nimmt das Modell an, daß es eine BE-Diode gibt, deren Strom nach
Icc = IS * (e^(Ube / (NF * Ut)) - 1)
berechnet wird.
Hinter dem e-Term verbirgt sich die typische e-förmige Stromanstiegskurve des Halbleiters. "Ube" ist die von außen angelegte Spannung über der BE-Diode, "NF" ist ein Modell-Parameter (default "NF=1") und "Ut" ist die Temperaturspannung (Boltzmann-Konstante mal Temperatur durch Elementarladung), bei 25°C ist "Ut=0,02587 V".
Die einzigen Möglichkeiten, um die Kollektorstromkurve zu beeinflussen, sind also die Parameter "IS" und "NF". Beide zeigten auch deutliche Wirkung.
Zwar kann ich die Steilheit der e-Kurve wunderbar verbiegen, aber beide Parameter gestatten nicht die Manipulation der (zu hohen) Schwellspannung.
LTSpice hat das Gummel-Poon-Modell noch verfeinert/erweitert, erklärt die LTSpice-Hilfe. Möglicherweise, weil die SUBCKT-Durchrechnung durch das Instant-Modell umgangen und daher beschleunigt werden kann.
Wenn wir also die Grundlagen begriffen haben, so können wir das ganze noch beliebig ausbauen. Wahlweise per SUBCKT oder per Modell-verfeinerungen. Allerdings werden uns die verfügbaren Datenblätter vermutlich auch frühe Grenzen aufzeigen.
Das mit dem kompletten Rauszeichnen des Modells kann ich mir sparen. Wenn ich Re=Rc=Rb=0 setze, hab ich das innere Modell freigelegt.
Zuerst wollte ich damit eine simple "Ic/Ube"-Kurve hinkriegen.
Dazu nimmt das Modell an, daß es eine BE-Diode gibt, deren Strom nach
Icc = IS * (e^(Ube / (NF * Ut)) - 1)
berechnet wird.
Hinter dem e-Term verbirgt sich die typische e-förmige Stromanstiegskurve des Halbleiters. "Ube" ist die von außen angelegte Spannung über der BE-Diode, "NF" ist ein Modell-Parameter (default "NF=1") und "Ut" ist die Temperaturspannung (Boltzmann-Konstante mal Temperatur durch Elementarladung), bei 25°C ist "Ut=0,02587 V".
Die einzigen Möglichkeiten, um die Kollektorstromkurve zu beeinflussen, sind also die Parameter "IS" und "NF". Beide zeigten auch deutliche Wirkung.
Zwar kann ich die Steilheit der e-Kurve wunderbar verbiegen, aber beide Parameter gestatten nicht die Manipulation der (zu hohen) Schwellspannung.