[E_Tobi]

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Das bezweifle ich. Vor allem, wenn die ersten Zyklen dank softstart noch verkürzt werden.

Zu Recht...da recovert nix. Gut dass ich eh eine ähnlich schnelle wie du drinnen hab...

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Reverse recovery scheint hier auch ein Thema zu sein....

Das Paper hier kennst schon, vermute ich:
https://www.fairchildsemi.com/applicatio...N-9067.pdf

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von christianw.

Ja, bzw. FKP1.

Sind die besser als FKP10? Ich meine, nicht.

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von E_Tobi

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Das bezweifle ich. Vor allem, wenn die ersten Zyklen dank softstart noch verkürzt werden.

Zu Recht...da recovert nix. Gut dass ich eh eine ähnlich schnelle wie du drinnen hab...

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Reverse recovery scheint hier auch ein Thema zu sein....

Das Paper hier kennst schon, vermute ich:
https://www.fairchildsemi.com/applicatio...N-9067.pdf

ja, danke, das kenne ich.
In verschiedenen papers gibt es Hinweise auf Ausfälle in LLC-Konvertern, die in Zusammenhang mit reverse recovery der body-Diode der PowerMOSFETs gebracht werden. Als besonders kritisch gelten extreme Strom- und Spannungsraten.

Maximale Spannungsraten folgen bei maximalen Primärströmen im Umschaltmoment.
Dies ist der Fall bei Überlast/Kurzschluss, wenn die Klammerdioden leiten.
Bei minimaler Lastimpedanz ergibt sich dabei auch noch induktives Verhalten, d.h. 90 Phasendrehung des Stromes, so dass die StromMaxima auf die Umschaltzeitpunkte fallen.

Grundsätzlich gilt, das bei ZVS die body-Diode aktiviert wird. Einen Moment später schließt der MOSFET sie kurz. Allerdings heißt das nicht, das diese bis zum nächsten Schaltpunkt auch ausgeräumt ist. Dies geschieht wohl erst NACH dem Abschalten des MOSFETs, wenn sich die drain-source-Spannung schon ein Stück weit aufgebaut hat.

Dies sollte nach meinem Verständnis jedoch kein grundsätzliches Problem darstellen solange die Totzeit hinreichend lang ist. Aber vlt hab ich das auch noch nicht ganz verstanden.

[voltwide]

http://scholar.lib.vt.edu/theses/availab..._final.pdf

[voltwide]

Hier mal ein aktueller Schaltplan des Testaufbaus.

[voltwide]

Dateiupload einer pdf-Datei g.n.:
Durchsuchen geht und zeigt anschließend das gewählte pdf an.
Datei upload starten - macht nichts!
Was mache ich falsch?

[kahlo]

Firewall? Das war es bisher immer .

[voltwide]

jepp, schön dass wir darüber gesprochen haben!

[voltwide]

Unter dem Aspekt der Robustheit bei reverse-recovery sollen super-junction mosfets der Bringer sein. Weiß dazu jemand Näheres?

[christianw.]

Hmm, guckst du hier:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-...3a92e736f6

[voltwide]

Ja, googeln kann ich auch schon. Genau dort hatte ich die Info her.

[christianw.]

Läuft bei uns.

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von christianw.

Läuft bei uns.

google oder SR-MOSFETs?

[voltwide]

Es gibt ein neues Trafomuster. Um den Wickelraum besser ausnutzen zu können, habe ich nun primär Tex-E-Draht 20x0,1m, bifilar, verwendet. Sekundär HF-Litze 60x0,1mm.
Die Windungszahlen sind annähernd dieselben wie beim vorherigen Muster.

[christianw.]

google.

Soll ich dir meinen Kern zuschicken, ich brauch den nicht. Sollte sich ja auskochen lassen.

[E_Tobi]

Inzwischen gemessen:

ETD59, Zweikammer-Wickel 39/9Wdg, LS=0.0mm, L_streu= 180µH...

Sekundär hab ich inzwischen auch 600*0.13, vorher mit 40x0.4er HF-Litzen gabs trotz <<1W DC-Loss über 140 Grad aufm Wickel

Echt extrem bei der Topologie...

[Black_Chicken]

Also wenn ich mich recht erinnere hat mein Professor angedeutet, dass die Inversiode bei Super-Junction-Mosfet in jeder Hinsicht als katastrophal zu bewerten ist. Das Superpositionsprinzip bedingt (in Bezug auf die Body-Diode) ein sehr ungünstiges Dotier-Profil, die Qrr ist in Folge dessen signifikant größer als bei herkömmlichen Trench- und Lateral-Mosfet. Ausrämverhalten grundsätzlich "snappy".

Genaueres kann ich, bei Bedarf, nochmal im Skript nachlesen...

Ich würde das Statement von Infinion als Marketing -Geschwurbel betrachten.

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von Black_Chicken

Also wenn ich mich recht erinnere hat mein Professor angedeutet, dass die Inversiode bei Super-Junction-Mosfet in jeder Hinsicht als katastrophal zu bewerten ist. Das Superpositionsprinzip bedingt (in Bezug auf die Body-Diode) ein sehr ungünstiges Dotier-Profil, die Qrr ist in Folge dessen signifikant größer als bei herkömmlichen Trench- und Lateral-Mosfet. Ausrämverhalten grundsätzlich "snappy".

Genaueres kann ich, bei Bedarf, nochmal im Skript nachlesen...

Ich würde das Statement von Infinion als Marketing -Geschwurbel betrachten.

Naja, die relative große Sperrverzugsladung wird ja nicht bestritten. Aber man hebt darauf ab, dass der parasitäre bjt eben nicht über dv/dt gezündet werden kann.

Im übrigen benutze ich immer noch das erste Paar AOK11N50, und konnte bei denen bislang noch keine reverse-recovery Effekte beobachten.

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von E_Tobi

Inzwischen gemessen:

ETD59, Zweikammer-Wickel 39/9Wdg, LS=0.0mm, L_streu= 180µH...

Sekundär hab ich inzwischen auch 600*0.13, vorher mit 40x0.4er HF-Litzen gabs trotz <<1W DC-Loss über 140 Grad aufm Wickel

Echt extrem bei der Topologie...

0,4mm Litzen kannst du wirklich vergessen.
Hast du mal dicke Lagenisolation versucht (proximity effekt)?
LS=0 ist keine gute Idee. Du brauchst etwas Luftspalt, damit ohne Last hinreichend Magnetisierungsstrom fließt für ZVS.
Zeig mal fotos!

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von christianw.

google.

Soll ich dir meinen Kern zuschicken, ich brauch den nicht. Sollte sich ja auskochen lassen.

Ja, kannst du gerne machen.