[E_Tobi]

Für mich ist SiC eh deutlich interessanter...zwar nicht ganz so schnell, dafür auch nicht ganz so klein....vernünftig kühlbar und Avalanche-Fähig.

Die Anforderungen ans Gatedrive sinken langsam (siehe neue C3M von Cree) und vor allem gibts im Laufe dieses Jahres 600V-Schalter - DIE werden dann echt interessant, Stichwort z.B: Totem Pole PFC. Bisher gibts nur 1200V und einen 900V (Cree C3M).


Wenn ich raten müsste würde ich sagen es geht in der Leistungselektronik Richtung SiC, GaN vielleicht für Spezialanwendungen (winzige POL-Module, oder so, z.B. Vicor)...

[ChocoHolic]

Anscheinend sind bei SiC die Wafer einfach zu teuer.
Deshalb kommen die Dinger für Low und Midpower nicht in die Pötte,
obwohl schon seit 10 Jahren in brauchbaren Packages verfügbar.

GaN hat dieses Problem angeblich nicht und mit Stückzahl + Prozessoptimierung rechnet man sich attraktive Kosten aus....
Schau ma mal.

Cascode vs. Enhancement Type:
Die Cascode ist die robuste Lösung, um auch mit bescheidener Signalintegrität für die Gates klarzukommen. Hat dafür aber weniger überzeugende Eigenschaften im passiven Rückwärtsbetrieb.Ist bei Offline SNT aber net so wild. Bei ClassD amps schon eher.
Die Enhancementteile sind an diesem Punkt deutlich besser.

Den LMG5200 hätte ich auch beinahe bestellt. Tja...
Trotzdem wäre der IMHO genau richtig.
Signalintegrität durch integrierte Treiber und Levelschifter gelöst.
Durch Integration zweier Schalter werden die heiklen Halbbrückenleistungskreisloops sehr schön klein. Gehäuse trotzdem grenzwertig DIY-able.

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von ChocoHolic

Cascode vs. Enhancement Type:
Die Cascode ist die robuste Lösung, um auch mit bescheidener Signalintegrität für die Gates klarzukommen. Hat dafür aber weniger überzeugende Eigenschaften im passiven Rückwärtsbetrieb.Ist bei Offline SNT aber net so wild. Bei ClassD amps schon eher.
Die Enhancementteile sind an diesem Punkt deutlich besser.

Könntest Du das bitte mal genauer erläutern?

[ChocoHolic]

Die GaN-EnhancementFets haben keine natürliche/parasitäre Bodydiode.

Aber man kann den Kanal nicht nur mit nem Feld Gate pos gegen Source aufsteuern,
sondern auch mit nem Feld Gate pos gegen Drain.
Wenn man nun also den GaN-Fet ausgeschaltet hat und Gate mit Source verbunden ist und dann einen Strom von Source zu Drain fließend einprägt...
Dann wird Source positiv gegen Drain und da das Gate mit Source kurzgeschlossen ist wird auch das Gate pos gegenüber Drain und der Kanal wird bei erreichen der Thresholdspg leitend.

...die Cascode verwendet GaNFets die bei 0V Vgs leiten und negative Vgs benötigen um zu sperren. Wird also die Bodydiode des MosFet leitend, liegt eine leicht negative Vgs am GaN-Teil, aber eigentlich so gering, dass das GaN-Teil noch echt ON ist - also weitgehend sieht man von aussen das Verhalten der MosFet-Bodydiode, inclusive Reverserecoverydiode. Bin irgendwie Reverserecoveryhypochonder....

Hm, andererseits ist dieser MosFet ja nur ein LowVoltageDevice.
Insofern muss ich meine Präferenz nochmal überdenken.
Im einen Fall haben wir keine Reverserecovery, aber dafür die eben recht hohe Thresholdspannung.
Dem gegenüber bei der Cascode ne Bodydiode eines LowVoltageMosFet.
Vielleicht ist die Cascode doch auch für ClassD sehr attraktiv....
Gut dass du gefragt hast - die Cascode gefällt mir zunehmend besser.

[ChocoHolic]

Zitat:Original geschrieben von ChocoHolic

...liegt eine leicht negative Vgs am GaN-Teil...

Vorzeichdenkfehler. Iss sogar leicht positiv, also ist der GaN absolut satt ON.
Um so schöner.

Ne Halbbrücke aus zwei Cascoden in nem 5-Pin D-Pack entwickelt sich immer mehr zum Traum meiner schlaflosen Nächte.

[E_Tobi]

Bleibt spannend...
Schnelle SiC mit großen Chips, in induktivitätsarmen Gehäusen, vielleicht?
Die "Bodydioden" da sind eben auch recht nett, und die SiC besser entwärmbar.

[Basstler]

SiC ist nur eher was für den >=600V Bereich, da sind sie schnell, aufgrund der rel. niedrigen Kapazitäten verlustfreier zu Schalten.

Gegen gute MOSFets, welche in ihrem Spannungsbereich ackern, kommen sie nicht an.
Die sind einfach niederohmiger, dafür viel Silizium und daher viel Fläche aka. Kapazität.

Und das können die GaNs besser, noch weniger RdsON vs. Fläche -> weniger Kapazität, schnell und sparsam zu Schalten.
Den LMG5200 Spass mache ich ... sagen wir mal ... wenn die Dinger die Hälfte kosten, dass erträgt man noch einigermaßen

Also SiC für 'obenrum' und GaN 'unterum' ... so würde ich sie einordnen.

[E_Tobi]

http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/P...65090J.pdf

Cree rückt aber noch keine Spice-modelle raus

[christianw.]

Warum kein Standard-DPAK?

[E_Tobi]

Weil niederinduktiver und mit Gate-Kelvinkontakt, vermute ich.

[voltwide]

Die Vorwärtsübertragung sieht ja ähnlich gemütlich aus wie bei den alten lateral FETs.
Könnte also gut gehen für lineare AB-Verstärker.
Durchaus behende im Schaltübergang.
Und die Impulsbelastbarkeit ist ja auch nicht ohne.

[E_Tobi]

Ob die vorm Hot-Spot gefeit sind?

[voltwide]

Solange der TK des Rdson pos ist, gibt es theoretisch keine hotspots.

[E_Tobi]

Kritisch ist der Bereich in dem der negative TK der Ugs größer ist als der positive TK des Rdson. Und das Problem hat auch der SiC, glaub ich...wird ned im Linearbetrieb gehen, zumindest nicht überall.