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noch ein sodfa
Hast Du die Möglichkeit, den Strom zu messen?
Wenn nicht, mußt Du ihn berechnen.

Eine weitere, recht einfache Möglichkeit, die Totzeit zu ermitteln ergibt sich, wenn man nur den Ansteuerbaustein bestromt (der muß dann auch ohne Ausgangsstufe schwingen)
Dann kannst Du beide gate-Spannungen direkt gegen Masse messen, ohne die Differnzmessung.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Strom messen: http://www.tti-test.com/go/iprober/

Ich werde jetzt erst einmal bei 100ns die Schaltvorgänge sinnvoll messen, mal sehen was da herauskommt.
Pffffffffft. "Da entwich das Vakuum" - Heinrich Physik, 1857.
 
Die Beschaltung ist jetzt wieder unverändert. 100ns, MBRS140.

Gelb: Ugs Lowside
Grün: Uds Lowside
Lila: Strom in die Drossel (würde aber wegen dem doch recht abenteuerlichen Schätzeisen +-10% annehmen)

[Bild: 825_1375277996_mess4.png]
Pffffffffft. "Da entwich das Vakuum" - Heinrich Physik, 1857.
 
Wie Volti sagte: der untere MOSFET schaltet schon ein, während der obere noch zu leiten scheint.
 
Also ich sehe:
GateAbschaltung: die drain-Spannung steigt rasch an, kein nennenswertes gate-Plateau
Gateeinschaltung: Schon vorher ist die drain-Spannung auf Null gefallen, nach kurzer Verzögerung (Totzeit - drain-Umschaltzeit) wird das gate positiv,
auch ohne sichtbares Plateau.
Das heißt: ZVS läuft, die Totzeit ist zu sehen, alles erstmal wie erwartet.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

Wie Volti sagte: der untere MOSFET schaltet schon ein, während der obere noch zu leiten scheint.
nö, gate=gelb
...mit der Lizenz zum Löten!
 
So sehe ich das auch.

Wenn ich jetzt noch einen dritten Tatkopf ans Gate des oberen klemme und davon Uds vom unteren abziehe müsste ja Ugs vom oberen rauskommen... misstrau
Pffffffffft. "Da entwich das Vakuum" - Heinrich Physik, 1857.
 
Also.

Bezugspotential war immer Source von der LowSide, also Ub-.

Gelb: Gate,LS -> Bezug == Ugs,LS
Grün: Drain,LS -> Bezug == Uds,LS
Rosa: (Gate,HS -> Bezug) - (Drain,LS -> Bezug) == Ugs,HS
Violett: Strom

ACHTUNG! Die Signalform Ugs,HS (rosa) stimmt so nicht, mir ging es jetzt erstmal nur um die Zeitpunkt, die müssten einigermaßen passen. Korrekt erhält man das Signal, wenn man (Gate,HS -> Bezug) - (Source,HS -> Bezug) anzeigen lässt. Dann hätte ich aber 5 Kanäle gebraucht. Nachträglich habe ich dann nochmal gemessen - siehe 2tes Bild.

[Bild: 825_1375280901_mess5.png]

Es passiert folgendes:

kurz vor t=1000ns: Gate der HS wird entladen
t=1000ns: Brückenausgang geht Richtung -Ub
t=1100ns: Gate vom unteren wird geladen
usw...


Wie versprochen hier noch das korrekte Gate-Signal vom HS:
[Bild: 825_1375280953_mess6.png]
Pffffffffft. "Da entwich das Vakuum" - Heinrich Physik, 1857.
 
Unter dem Verzerrungsaspekt ist die Totzeit vmtl deutlich zu lang.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Zitat:Original geschrieben von voltwide
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Wie Volti sagte: der untere MOSFET schaltet schon ein, während der obere noch zu leiten scheint.
nö, gate=gelb

Oh. Verrumguckt überrascht
 
Während den Überschwingern auf Grün leiten die Backdioden

[Bild: 825_1375280901_mess5.png]

In dieser Zeit sollte man einschalten.
 
Ja!
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Diese Aussage gilt aber nur für 50:50 PWM.

Sobald man das Verhältnis verlässt, sollte man auf einer Seite früher und kann auf der anderen Seite später einschalten.

Warum regelt man das eigentlich nicht? misstrau
 
Es gibt hier eigentlich keine optimale Lösung in Form einer adaptiven Totzeit.
Denn spätestens, wenn der Ausgangsstrom den magn Ripplestrom überschreitet, ist Schluß mit ZVS.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Vor allem darf man sich nicht eine Unstetigkeit einbauen, die durch so einen Übergang zustande kommt.
Ich denke, dass deshalb die integrierten Class-D-Amps die Totzeit so klein wie möglich machen, und ZVS gibt es eben nur innerhalb eines begrenzten Aussteuerbereiches.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Ja. Seh ich ein. Schade....
 
Zitat:Original geschrieben von voltwide

Unter dem Verzerrungsaspekt ist die Totzeit vmtl deutlich zu lang.

Genau deswegen will ich ja in Richtung 10ns kommen.
Pffffffffft. "Da entwich das Vakuum" - Heinrich Physik, 1857.
 
Vor langer Zeit hatte ich mir hier im Forum (wars im Thread der 100ns-Endstufen?... egal!) mal eine Endstufe ausgedacht, die mit einer zusätzlichen Drossel all diese Probleme umgeht und keine Totzeit benötigt....

[Bild: 1_1375329261_null_ns1.png]

Die Schaltung wurde hier - soweit ich erinnere - anerkannt. Aber aufgebaut hat die IMHO keiner. Warum eigentlich nicht? Sie spart Treiberaufwand und ist eigensicher.
 
Gucki, diese Schaltung ist allgemein als "Zweiquadrantensteller" bekannt.

Auch die von dir gezeigte Verschaltung mit zwei Drosseln (bzw. hier Saugdrossel) ist nichts Ungewöhnliches:

[Bild: 825_1375355721_zq.png]

Aus Zach - Leistungselektronik.

Nur bitte denk dir die Thyristoren weg Rolleyes



Warum ich das nicht gemacht habe? Wegen dem Spulenaufwand. Zudem wäre die Verlockung zu groß dann gleich eine Vollbrücke zu bauen Rolleyes
Pffffffffft. "Da entwich das Vakuum" - Heinrich Physik, 1857.
 
Was haben Thyristoren mit MOSFETs und Freilaufdioden gleich? überrascht Meine beiden Spulen sind z.B nicht gekoppelt, sondern jede werkelt fein für sich. Da muss ich mir wohl noch mehr wegdenken, wenn ich da Ähnlichkeiten erkennen will.... misstrau

Gleichwohl hab ich nicht behauptet, dass meine Schaltung eine "Erfindung" ist oder irgendwelche Ansprüche in dieser Richtung erfüllen könnte. Natürlich ist sie in anderen Bereichen bekannt (zumindest ist es zu vermuten).

Nur bei D-Amps hab ich sie noch nie gesehen. Und darum gehts uns ja.

Dass dort zwei Spulen werkeln muss nicht unbedingt ein Nachteil sein. Vielleicht kann man die Spulen kleiner ausgestalten?

Dafür gewinnt man den Vorzug, dass man sich um Totzeiten und die daraus enstehenden Verluste bzw. Verzerrungen keine Gedanken mehr zu machen braucht. Da genau das zur Zeit hier ein Thema ist, wolllte ich die alte Idee mal wieder rauskramen. War meinerseits nur als Randinfo gemeint und soll Dich nicht zu irgendwas verlocken.