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Hinsichtlich der äqu Rauschspannung bin ich da ziemlich sicher.
Es gibt JFETS im Bereich 1..10nV/Wurzel(Hz).
Bei MOS sind es wohl eher mehrere 10nV...
Bezüglich MOSFET-Tetroden habe ich keinen Hintergrund
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Ich beziehe mich auf die Datenlage bei OPVs mit MOS-Eingang und auf diskret verfügbare JFETs.
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Stromrauschen
Am dreckigsten sind da sicher die BJT, weil da Dauereingangsstrom fließt. Gefolgt von den hochkapazitiven MOSFETs. Am besten werden wohl die FETs abschneiden, weil sie die geringsten Kapazitäten haben.
Der 2N7002 hat eine Eingangskapazität von 13pF. Der BF256C vielleicht von 3pF. Die Tetrode BF1009SW rund 2pF.
Bei nur 77kHz fließen aber auch bei 13pF noch keine großen Ströme.
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Thermisches Rauschen
Da wird sich wohl alles Gelumpe gleich verhalten
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Flicker und Burst Noise
Spielt bei 77,5 kHz IMHO keine Rolle
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Avalanche Noise
Das tritt beim BF256 auf. Nicht aber beim MOSFET.
LF351 (FET) vs. TLC272 (CMOS): beide 25nV/sqrt(Hz)
Bin noch nicht überzeugt, Volti.
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Mit BJT komme ich auf V=30, wobei mir die Auftrennung des Antennenschwingkreises nicht schmeckt...
BTW: es wäre sinnvoller, wenn Du R15 zwischen Kollektor und Basis schaltest. Dann unterstützt er die gewünschte Wirkung des "IE-Wandlers" und bewirkt ganz nebenbei eine Arbeitspunktstabilisierung.
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R15 muss dann kleiner werden... Schwingkreis verstimmt sich gewaltig... Verstärkung bleibt in etwa gleich (nach Stimmung des Schwingkreises).
Ich simuliers auch mal mit nem BJT.
Aber wie bestimmen wir die Verstärkung? Die Spannung über der Induktivität sagt im Serienkreis ja nichts mehr. Da könnten auch kV anstehen.
Ich bin dafür, dass wir parallel zur Spule einen HF-Strom einspeisen. Ohne Koppelfaktor und pipapo. Als Strom verwende ich 1nA. Ich komm auf diesen Wert, weil er in Deiner Simulation mit dem BF256 zur gleichen Ausgangsspannung führte.
Der Vorteil einer Stromquelle ist der, dass wir an der Induktivität beliebig rumschrauben können, ohne gleichzeitig das Übertragungsverhältnis im Auge zu behalten.
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
LF351 (FET) vs. TLC272 (CMOS): beide 25nV/sqrt(Hz)
Bin noch nicht überzeugt, Volti.
Ich schrieb ja, dass es diskrete JFETs mit 1nV/Wurzel(Hz) gibt.
Der 2N7002 ist eher ein Schalter, ohne jede Rausch-Spezifikation - hier kann man nur vermuten oder messen.
Andererseits erzeugt ein 10k-Widerstand bereits 11nV... allein an thermischen Rauschen. Bei 100k Kreisimpedanz liefert also der Schwingkreis schon 30nV....
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Kostet ne komplette DCF77-Uhr nicht mittlerweile sowieso weniger als ein Conrad-Modul?
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http://www.conrad.de/ce/de/product/64113...earch&rb=1
Naja... fast...
http://www.amazon.de/Hama-00106936-DCF-F...33&sr=8-13
doch, klaro...
http://www.discounter-archiv.de/de/archi...hr/976253/
--- aber ganz unsportlich...
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Zumindest weiss man bei Conrad genau, was man bekommt:
Schaltplan (letzte Seite)
Anschlussplan
Da kann sich Pollin mal eine Scheibe abschneiden
.
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
An der Basis hab ich 20uVss (ideal wäre 0)
Am Kollektor 2mVss.
Über dem Ferritstab hab ich 167uVss (ideal wäre 1000V).
Ich verstehe diese Schaltung derart dass hier ein ausgesprochen niederohmiger Eingang in der Rückleitung des ResKondensators liegt, folglich der Resonanzstrom verstärkt wird. Je niederohmiger der Transistor, desto geringer die zusätzliche Bedämpfung des Kreises.
Also genau entgegengesetzt zur Spannungsauskopplung mit FET.
Wobei man imho auf den Integrationskondensator verzichten kann, wenn man den Gegenkopplungswiderstand noch kleiner wählt.
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