Hat jemand ein paar Sinnvolle Informationen über die Darlington-Schaltung und den dazugehörigen Transistor? Was auch ein noob versteht? :d
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Darlingtontransistoren/Schaltungen werden in Leistungsverstärkern eingesetzt da der B Faktor eines Leistungstransistors meist nicht höher als 200 liegt, der eines Kleinsignal BJT jedoch bei bis zu 2500 und mehr.
Ein Darlingtonpaar schaft bis zu 50.000 Fache Verstärkung.
Allerdings hat die Sache auch Nachteile.
Z.b braichst du statt 0.7V BE 1,4V BE.
Zudem hat die diese Verschaltung etwas schlechtere Schaltparameter da das ausräumen der Basis des Leistungstransistors nicht oder kaum durchgeführt wird. Dies Kann man mit einem Widerstand über der BE-Streke des Leistungs BJT ändern. Allerdings geht dabei ein Teil des Steuerstroms flöten und die verstärkung sinkt. Das ist zudem nur bei diskreten, also selber kombinierten Typen überhaupt möglich ( ich weiß aber nicht ob das nicht villeicht auf manchen Chips so mit drin ist ....)
Zudem ist die Phasenverschiebzung höher was bei hohen Frequenzen zu einer Instabilität führen kann.
Eine Alternative zur Darlington ist die Sziklai
http://de.wikipedia.org/wiki/Sziklai-Paar
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Zitat Wikipedia unter dem Begriff "Sziklaischaltung":Ein Sziklai-Paar, auch als Komplementär-Darlington-Schaltung bezeichnet....
Zitat Ende, link in meinem Vorpost
In den Schaltanwendungen gilt das Selbe wie beim Darlington, die werden durch den Verbund langsamer was durch Wiederstände verbessert werden kann, was jedoch die Verstärkung senkt.
Vorteile dieser Schaltung:
-Vbe nur die des 1. BJT
Nachteil:
-Es wird ein komplimentärer Typ benötigt
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Es wäre übrigens nett wenn du einfach doppelt Postest bzw. mit einem EDIT: den neuen Text einfach anfügst, so ist das was ich geschrieben habe nichtmehr im Zusammenhang ;deal2
EDIT: So in etwa
Berechnung:
Zu berechnen in der Schaltung wäre z.B die neue Verstärkung und der sich einstellende Basisstrom vom ersten BJT bei gegebenen Collectorstrom vom zweiten BJT.
Man könnte zudem die minderung der Verstärkung berechnen die ein Widerstand zur verbesserung der Schaltzeiten mitsich bringt.
Wenn ich jetzt einen BC100 npn Transistor habe, dann muss mein Komplimentär Transistor ein pnp sein. Es kann aber nicht jeder x-beliebiger sein...
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Du kannst theoretisch jeden beliebigen pnp nehmen. Allerdings sollte es ein kleinleistungstyp sein der eine hohe Verstärkung hat, z.B BC327-40. Dan erreichst du eine gesamt hfe von 8000.
EDIT:
Je höher die Verstärkung des 1. BJT ist desto niedrige kannst du den Widerstand zur Optimierung der Schaltzeiten auslegen.
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Sorry, hatte die begriffe eigentlich weiter oben schon erklärt, macht nichts, hier nochmal:
hfe ist der Verstärkungsfacktor B, hfe ist in den Datenblättern gebräuchlicher.
BJT steht für Bipolar Junktion Transistor und beschreibt Transistoren , egal ob NPN oder PNP im allgemeinen.
Ja, der Widerstand ist der eingezeichnete R.
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Das kann ich dir nicht genau sagen. Es ist die Frage wie viel der Verstärkung du opfern willst und wie schnell du schalten musst. Normal würde ich da via Simulation mit Spice rangehen. Villeicht weiß einer der anderen hier da rat.
Deine Gleichung ist übrigens fast korrect.
hfe_gesamt=hfet1*hfet2
hfe=B es ist ein andere Ausdruck für den Verstärkungsfacktor B der in den Datenblättern gerne verwendet wird.
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Warum hilft dir das nicht ?
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Zur Berechnung, ich versuche mal eben das mit Spice herzuleiten, könnte n Moment dauern
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Ok, rechnen geht mit meinen Kentnissen nicht. Soll ich dir die Simulation als Screenshots zeigen ?
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Soweit ich erinnere war der feine Unterschied zwischen B und hfe folgendermaßen.
B ist das Stromverhältnis zwischen Basis- und Kollektorstrom.
hfe ist die Kleinsignalstromverstärkung bei Aussteuerung um einen Arbeitspunkt herum.
Die unterschiedlichen Zahlenwerte kommen von der Stromabhängikeit der Stromverstärkung.
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