[Rumgucker]

Mein Leistungsmesser

http://include.php?path=forum/showthread...ntries=262

soll ein Doppelgerät werden. Die zweite Hälfte des Geräts will ich mit einem Nachsetzer für den Trenntrafo ausstatten.

Dieser Nachsetzer soll gleichrichten und sieben. Die Ausgangsspannung soll der vom Trenntrafo kommenden Eingangsspannung folgen.

Weiterhin soll der Nachsetzer mit einer einstellbaren elektronischen Stromsicherung ausgestattet sein. Diese Stromsicherung soll den Strom nicht einfach nur begrenzen, sondern über eine foldback-Charakteristik verfügen, damit ich die Verluste gering halten kann.

Zur Not (wenn wir keine kluge Lösung finden) werde ich eine Schmelzsicherung einbauen

[Rumgucker]

Ich bin am Überlegen, ob nicht der leistungsmesser sogar ideal für die Steuerung des foldbacks ist. Der Leistungsmesser könnte den Spannungsabfall über dem stromeinstellbaren Regler und dessen Ausgangsstrom messen und miteinander multiplizieren und dann den Regler runterdrehen wenn er den SOA verlässt.....

[Rumgucker]

Allererster Entwurf...



Soll - umschaltbar - bis zu 700V/1A bzw. 350V bei 2A abgeben können. Und das fast ohneKühlkörper.

[kahlo]

So ein wenig Spannung muss aber über M1 abfallen, sonst siebt er nicht...

[Rumgucker]

R5/C1 bilden den Mittelwert der Brummspannung. Die ist schon mal naturgemäß geringer als die Spitzenspannung. Und dann kommt die GS-Schwellspannung auch noch hinzu. Es werden also rund 10V am oberen MOSFET abfallen.

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von kahlo

So ein wenig Spannung muss aber über M1 abfallen, sonst siebt er nicht...

Sehe ich genauso.

Da kein Strom in das gate fließt, ist das gemittelte Spannungsgefälle über dem Gate-VorWiderstand 0V.
Von daher erwarte ich ein laststromabhängiges Spannungsgefälle um 4V
(Vgate = Vdrain)
Die Siebung dieses RC-Gliedes hat zur Folge, dass in den Brummspannungsminima
die drain-Spannung unter die gate-Spannung fällt und der MOSFET nicht mehr richtig durchgesteuert wird.
Deshalb muss in Reihe dieses Widerstandes eine Spannungsquelle (Z-Diode) eingefügt werden, mindestens vom Betrage der halben, maximalen ripple-Spannung.

[kahlo]

Bei einem Ripple vor M1 von kleiner 2x GS-Schwellspannung geht es vielleicht.

Ich würde es mit einem Gyrator probieren.

[Rumgucker]

In grün die Drain-Spannung. Rot die Gatespannung. Blau die Ausgangsspannung.

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Es gibt einen Trick, wie die Schaltung auch bei größerem Ripple stets einwandfrei arbeitet. Will ich gleich mal versuchen.

[Rumgucker]

So stellt sich die Schaltung automatisch auf jeden x-beliebigen Ripple ein...



(den 10 Meg kann man ggfls. weglassen, wenn man eine Diode mit hohem Sperrstrom wählt)

[kahlo]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

So stellt sich die Schaltung automatisch auf jeden x-beliebigen Ripple ein...



(den 10 Meg kann man ggfls. weglassen, wenn man eine Diode mit hohem Sperrstrom wählt)

Der gefällt mir! Da sieht man denn auch, dass M1 einen Kühlkörper braucht.

[Rumgucker]

Ja. Je höher die Brummspannung, desto größer der Kühlkörper.

[Rumgucker]

Wenn ich mich mit 1A begnüge und es mir gelingt, bei der Eingangsspannungsumschaltung die beiden Elkos einmal parallel und einmal in Serie zu schalten, dann hätte ich einen Wirkungsgrad von 0,97 und somit gerade mal 11 Watt Verluste.

[kahlo]

Sieht doch gut aus ( wenn der Mosfet seine Kurzschlusssicherung bekommt). Neben den Coladosenelkos hat ja kaum noch etwas Platz, da muss die Schaltung kompakt sein...

[Rumgucker]

Meine 390uF/450V sind extrem klein. Sind auch auf der 500V/0.3A-SNT-Platine drauf.

[kahlo]

Man kønnte die M1-Beschaltung nun fast als das ideale Siebglied bezeichnen. Wenn man noch einen Mosfet, geschaltet wie in #8, dahintersetzt, ist die Ausgangsspannung wirklich glatt .

Kann es sein, dass eine winzige Grundlast benötigt wird?

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von kahlo
Man kønnte die M1-Beschaltung nun fast als das ideale Siebglied bezeichnen.

MOSFETs haben eine geringe Steilheit. Besser wirds, wenn man MOSFET und BJT kaskadiert.

Zitat:Original geschrieben von kahlo
Kann es sein, dass eine winzige Grundlast benötigt wird?

Ja. Seh ich auch so.

[Rumgucker]

An sich scheint das alles schon ganz gut hinzuhauen. Allerdings ist mir der Aufwand in der Stromsicherung noch zu hoch...



...und für die Spannungsumschaltung ist mir auch noch nichts Besseres eingefallen....

[Rumgucker]

Ich grüble gerade so rum, ob man nicht aus der Not ne Tugend machen sollte und irgendwie den (Brumm)-Spannungsabfall über dem oberen MOSFET direkt nutzen kann, um eine Sicherung anzubieten.

[voltwide]

Ich würde die Stromsicherung vereinfachen: Der OPV kann das gate direkt treiben. Die Rückkopplung von der Drain-Spannung verlegen zum pos Eingang.

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Der OPV kann das gate direkt treiben.

Der treibt doch das Gate direkt

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Die Rückkopplung von der Drain-Spannung verlegen zum pos Eingang.

Versteh ich nicht. Meinst Du die BJT-Schaltung? Das ist die foldback-Schaltung.