23.08.2012, 03:36 PM
Wenn du nur Rechteck und niemals Sinus hörst, stimmt es 
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Verständnisfrage
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23.08.2012, 03:40 PM
35,5V Umax, das ergibt in etwa 25Veff, dann kommts an 4 Ohm hin 
23.08.2012, 03:45 PM
Ne... das ist nun wieder zu viel...
sqrt(P * R) = Ueff = sqrt(100 Watt * 4 Ohm) = 20 Veff
Us = Ueff * sqrt(2) = 28V
Also genügen +/- 30V
sqrt(P * R) = Ueff = sqrt(100 Watt * 4 Ohm) = 20 Veff
Us = Ueff * sqrt(2) = 28V
Also genügen +/- 30V
23.08.2012, 03:47 PM
Bei 28Vs fließen also 7As in 4 Ohm.
Ok?
Ok?
23.08.2012, 05:59 PM
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Und was ist Deiner Meinung nach die von mir genannte Formel, Volti?
Hinter C = I * t / U steckt C = Q / U. Also die Ladungsformel.
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Für die Entladung des Gitters ist die aber IMHO nicht gut tauglich. Da es uns nur um den Übergang zwischen vollständiger Leitung und vollständiger Sperrung geht, spielt die Unlinearität der Eingangskapazität aber auch keine Rolle.
Auch Du solltest Dich mal zum Thema Millerkapazität und gate-Ladungskurve schlau machen.
Während des linearen Schaltüberganges ändert sich die gate-Spannung nur minimal, da vor allem die Rückwirkungsladung verschoben werden muß.
Bei konstanter gate-source-Spannung während des Umschaltvorganges findet also keine Umladung der gate-Eingangskapazität statt.
Ihr Wert ist somit unmaßgeblich für das Schaltverhalten.
Die zugehörige Ladungsmenge entspricht der Breite des MillerPlateaus in der gate Transfer Kennlinie.
Angenommen, diese sei 10nC breit, und der Treiber kann 1A Spitzenstrom
Dann wird der MOSFET in 10ns geschaltet.
...mit der Lizenz zum Löten!
23.08.2012, 06:07 PM
Volti.. natürlich wirkt die Millerkapazität einer Umladung der Gatekapazität entgegen. Wir interessieren uns hier aber gar nicht für die Gatekapazität, sondern für die integrale Summe aller Kapazitäten. Da wir komplett umschalten, schlägt uns die Millerkapazität voll rein. Das wissen wir doch.
Nölst Du nur um zu nölen?
Nölst Du nur um zu nölen?
23.08.2012, 06:45 PM
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Volti.. natürlich wirkt die Millerkapazität einer Umladung der Gatekapazität entgegen. Wir interessieren uns hier aber gar nicht für die Gatekapazität, sondern für die integrale Summe aller Kapazitäten. Da wir komplett umschalten, schlägt uns die Millerkapazität voll rein. Das wissen wir doch.
Nölst Du nur um zu nölen?
Ich nöle nicht, sondern zeige wie man das Schaltverhalten eines MOSFETs in einfacher Weise abschätzt.
Und wieder einmal scheinen die von mir dargelegten Inhalte voll an Dir abzuprallen -
was bitte soll die Rechnung mit Kapazitäten, wenn selbige sich während des Umschaltens dramatisch ändern?
Warum wohl werden in sämtliche Datenblattern zu MOSFETs Qgs, Qdg und Qds spezifiziert.
Das ist alles sattsam bekannt, und es wundert mich, wieso Du Dich dagegen sperrst. Weils nicht von Dir kommt?
...mit der Lizenz zum Löten!
23.08.2012, 07:00 PM
Ladung und Kapazität sind - bei gegebener Umladespannung - proportional.
Es ist nicht so, dass Du mit der Ladung irgendwelche besseren mathematischen Möglichkeiten als mit der Kapazitätsrechnung hast. Ich kann mühelos Kapazitäten in Ladungen und umgekehrt umrechnen, WENN ich die Umladespannung weiß.
Und diese Spannung suchen wir ja gerade.
Daher müsste 3eepoint zur Zeit darüber grübeln, bei welcher Gate-Spannung der MOSFET ausgeschaltet und bei welcher Spannung er ausreichend durchgeschaltet hat.
Und dann weiß ich sofort, wie ich meinen Gateableitwiderstand dimensionieren muss.
Der MOSFET hat beispielsweise 70nC und ist unterhalb von 3V aus und oberhalb von 10V ein. Dann berechnet sich die wirksame Kapazität zu 10nF. Und die entlade ich ausreichend mit einem Gatwiderstand von 1 kOhm in 10us.
Also lass mich mal machen. Ich weiß schon was ich tu.
Es ist nicht so, dass Du mit der Ladung irgendwelche besseren mathematischen Möglichkeiten als mit der Kapazitätsrechnung hast. Ich kann mühelos Kapazitäten in Ladungen und umgekehrt umrechnen, WENN ich die Umladespannung weiß.
Und diese Spannung suchen wir ja gerade.
Daher müsste 3eepoint zur Zeit darüber grübeln, bei welcher Gate-Spannung der MOSFET ausgeschaltet und bei welcher Spannung er ausreichend durchgeschaltet hat.
Und dann weiß ich sofort, wie ich meinen Gateableitwiderstand dimensionieren muss.
Der MOSFET hat beispielsweise 70nC und ist unterhalb von 3V aus und oberhalb von 10V ein. Dann berechnet sich die wirksame Kapazität zu 10nF. Und die entlade ich ausreichend mit einem Gatwiderstand von 1 kOhm in 10us.
Also lass mich mal machen. Ich weiß schon was ich tu.
23.08.2012, 07:45 PM
Sorry musste weg also....
Ok, nur um zu schauen das ichs auch verstanden habe, angenommen ich will 150W, dannn liege ich bei einer Spannung Us=34.6V also etwa 35V.....
Also, 7As waren gefordert, dafür muss der Fet mit 5.5V Spannungshub angesteuert werden, zum vollständigen sperren halt 0V...
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Ne... das ist nun wieder zu viel...
sqrt(P * R) = Ueff = sqrt(100 Watt * 4 Ohm) = 20 Veff
Us = Ueff * sqrt(2) = 28V
Also genügen +/- 30V
Ok, nur um zu schauen das ichs auch verstanden habe, angenommen ich will 150W, dannn liege ich bei einer Spannung Us=34.6V also etwa 35V.....
Also, 7As waren gefordert, dafür muss der Fet mit 5.5V Spannungshub angesteuert werden, zum vollständigen sperren halt 0V...
23.08.2012, 07:48 PM
Der muss schon weit oberhalb von 0 V sperren.
23.08.2012, 07:54 PM
Verdammt ich fall bei Fets immer wieder drauf rein, bei 3.9V sperrt er, cih kanns nicht genau sagen der Graph gibt nichts genaues her
24.08.2012, 09:43 AM
Ich hab eben ins IRFP240-Datenblatt geschaut.
Zum sicheren Abschalten sind 2V zwischen Gate und Source zu unterschreiten (VGS(th)).
Wir wollen bei 7A maximal 2V zwischen Source und Drain abfallen lassen. Dazu sind 7V zwischen Gate und Source notwendig (Fig. 1).
Wir müssen den Ladestrom (von den BJTs kommen) also so gestalten, dass 7V in 10us erreicht werden und maximal eine Spannung von 14V am Gatequerwiderstand abfallen kann (bei Vgs=20V geht der MOSFET kaputt).
Die Ladung im Gate beträgt bei 14V satte 60nC (Fig. 6). Das entspricht einer Kapazität von 4,3nF.
-----------
Der Gatequerwiderstand muss diese 4.3nF in 10us von 14V auf 2V entladen. Den berechne ich jetzt. Die Formel für die Entladung eines Kondensators wird umgestellt nach R:
R = t / (C * -ln(uc / U))
wobei
R der Entladewiderstand
t = 10us
C = 4.3nF
uc = 2V
U = 14V
Taschenrechner sagt R = 1195 Ohm, also 1.2k Ohm
-----------
Der Aufladestrom darf also 11.7mA nicht überschreiten, damit wir die 14V am Gate nicht übersteigen.
Dieser Strom teil sich auf in den Strom durch den Querwiderstand und den Ladestrom. Fig. 6 zeigt, dass zum sicheren Einschalten (7V) eine Ladung von 37nC nötig ist.
Die meiste Zeit liegt am Gate während der Ladung eine konstante Spannung von rund 6V an (Fig.6) . Also fließt ein Querstrom durch den Widerstand von 6V / 1.2k = 5mA. Zur Ladung verbleiben also 6.7 mA.
Die reichen aus, um die Einschaltung in t = Q / I = 37 nC / 6.7 mA = 5.5 us durchzuführen.
-----------
Also haben wir folgende Daten für Dreieck-Vollaussteuerung f = 1 / (10us + 5.5us) = 65kHz ermittelt:
IRFP240, 7As, 2V max. Spannungsabfall
Gate-Querwiderstand = 1.2k
Steuerstrom = 11.7mAs
Zum sicheren Abschalten sind 2V zwischen Gate und Source zu unterschreiten (VGS(th)).
Wir wollen bei 7A maximal 2V zwischen Source und Drain abfallen lassen. Dazu sind 7V zwischen Gate und Source notwendig (Fig. 1).
Wir müssen den Ladestrom (von den BJTs kommen) also so gestalten, dass 7V in 10us erreicht werden und maximal eine Spannung von 14V am Gatequerwiderstand abfallen kann (bei Vgs=20V geht der MOSFET kaputt).
Die Ladung im Gate beträgt bei 14V satte 60nC (Fig. 6). Das entspricht einer Kapazität von 4,3nF.
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Der Gatequerwiderstand muss diese 4.3nF in 10us von 14V auf 2V entladen. Den berechne ich jetzt. Die Formel für die Entladung eines Kondensators wird umgestellt nach R:
R = t / (C * -ln(uc / U))
wobei
R der Entladewiderstand
t = 10us
C = 4.3nF
uc = 2V
U = 14V
Taschenrechner sagt R = 1195 Ohm, also 1.2k Ohm
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Der Aufladestrom darf also 11.7mA nicht überschreiten, damit wir die 14V am Gate nicht übersteigen.
Dieser Strom teil sich auf in den Strom durch den Querwiderstand und den Ladestrom. Fig. 6 zeigt, dass zum sicheren Einschalten (7V) eine Ladung von 37nC nötig ist.
Die meiste Zeit liegt am Gate während der Ladung eine konstante Spannung von rund 6V an (Fig.6) . Also fließt ein Querstrom durch den Widerstand von 6V / 1.2k = 5mA. Zur Ladung verbleiben also 6.7 mA.
Die reichen aus, um die Einschaltung in t = Q / I = 37 nC / 6.7 mA = 5.5 us durchzuführen.
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Also haben wir folgende Daten für Dreieck-Vollaussteuerung f = 1 / (10us + 5.5us) = 65kHz ermittelt:
IRFP240, 7As, 2V max. Spannungsabfall
Gate-Querwiderstand = 1.2k
Steuerstrom = 11.7mAs
07.09.2012, 02:02 PM
So dazu mal n Paar Fragen
Kannst du bitte mal dein Datenblatt hochladen ? Bei mir stimmen deine Fig. angaben nciht überein, Fig1 ist in meinen DB Case Temp vs. Power dissipation multiplier
Ansonsten ist das schön verständlich erklärt
Kannst du bitte mal dein Datenblatt hochladen ? Bei mir stimmen deine Fig. angaben nciht überein, Fig1 ist in meinen DB Case Temp vs. Power dissipation multiplier
Ansonsten ist das schön verständlich erklärt
07.09.2012, 02:38 PM
07.09.2012, 02:54 PM
Danke 
Sooo, muntere Fragerunde zu Datenblättern
Zu Fig.1:
Wie kommst du hier auf die 2V über DS ? Wenn ich das korrect ablese sind das 0.5V
Ich nehm an das ich es falsch ablese, ich mag diese Rasterung von ID überhauptnicht
Ich verstehe auch nicht wie du auf die 7V Kommst, schaust du einfach welche Kurve bei 2V am nächsten bei 7A dran ist ?
Fig.6 leuchtet mir dagegen schonwieder ein
Sooo, muntere Fragerunde zu Datenblättern
Zu Fig.1:
Wie kommst du hier auf die 2V über DS ? Wenn ich das korrect ablese sind das 0.5V
Ich nehm an das ich es falsch ablese, ich mag diese Rasterung von ID überhauptnicht
Ich verstehe auch nicht wie du auf die 7V Kommst, schaust du einfach welche Kurve bei 2V am nächsten bei 7A dran ist ?
Fig.6 leuchtet mir dagegen schonwieder ein
07.09.2012, 03:06 PM
Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Wie kommst du hier auf die 2V über DS ? Wenn ich das korrect ablese sind das 0.5V
Ich schrieb:
Zitat:Original geschrieben von Gucki
Wir wollen bei 7A maximal 2V zwischen Source und Drain abfallen lassen. Dazu sind 7V zwischen Gate und Source notwendig (Fig. 1).
Nun guckst Du Dir Fig1 an. Unten steht die DS-Spannung. 2V sind eine Spalte rechts von 10^0.
Dann guckst Du links auf die 7A. Und dann suchst Du Dir die dazu passende Steuerspannung aus.
Und nun hab ich mich tatsächlich verguckt bzw. vertippt. Es reichen 6V.
07.09.2012, 03:50 PM
Fürs Verständnis, beim IRFP wären das für -7A ID -5.5V über DS ?
Das kommt mir irgendwie komisch vor .....
Das kommt mir irgendwie komisch vor .....
07.09.2012, 03:58 PM
Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Fürs Verständnis, beim IRFP wären das für -7A ID -5.5V über DS ?
Das kommt mir irgendwie komisch vor .....
Was meinst Du mit "IRFP" ?