[eurofighter]

hi !

zuersteinaml als Einleitung:

als ich einen meiner DCDC testen wollte brauchte ich eine elektronische last, mit der ich sie quälen konnte

kein problem, dachte ich mit, schnappte mir nen IRFP064N (groß, teuer, leistungsstark, und vor allem hatte ich da noch ein paar von da, von wegen DCDC-primärschalter), haute 2 potis (groß/fein) an ne 9V-Batt und den abgriff an das mosfet-gate.

funktionierte auch wunderbar.

solange der mosfet nciht wärmer wurde ^^

denn dann stellte ich fest, das der mosfet bei gleicher gatespannung einen immer geringeren innenwiderstand bekam.....war unpraktisch und ich hatte grück das nichts in die luft flog

als konsequenz lötete ich mir das hier zusammen:
http://include.php?path=forum/showthread...ostid=last
und das funzte dann auch wunderbar


aber nun will ich da mehr als nur 100W dranhängen können

also mosfets parallelschalten. da mosfets ja nen widerstand haben sollte das problemlos gehen, so die theorie

aber was, wenn ein mosfet wärmer wird....und daruch mehr power abbekommt...und noch wärmer wird...und noch mehr power abbekommt...

dann müssten nach und nach alle mosfets abrauchen

oder sehe ich da was falsch ?


Gruß, Marc

[Rumgucker]

MOSFETs sollten hochohmiger werden, wenn die Temperatur steigt. Parallelschaltung also möglich.

Ganz im Gegensatz zu normalen BJTs. Da geht immer einer hoch

[eurofighter]

jo, ich dachte auch immer, das die dinger dann hochohmiger werden


aber dieser kleine versuch mit der simplen schaltung hat mir irgendwie was anders gezeigt

[Rumgucker]

Kann es sein, daß da irgendein anderer Effekt Dir nur vorgaukelt, daß die Dinger niederohmiger werden?

HF-Schwingungen?

[eurofighter]

die schaltung sah so aus:

DCDC - Last

der DCDC hat ja am ausgang eigentlich fast DC-spannung (bis auf ein bisschen restwelligkeit)

der mosfeht wurde einfach nur par batt ansgesteuert

gemessen wurde einmal die spannung an der last und einmal der Strom



so viel mit HF ist da eigentlich nicht ?

[Rumgucker]

Stimmt auch wieder. Aber zu 90% sind HF oder Masseprobleme im Spiel, wenn sich was derart anders verhält, als mans kennt. FETs schwingen nun mal gerne.

[sixtas]

@Eurofighter

Meinst Du die Schaltung mit OP?

Wenn ja, dann ist das doch eine spannungsgesteuerte Stromquelle.Die sollte den Strom entsprechend der eingestellten Spannung am OP konstant ausregeln.Unabhängig von der Temperatabhängigkeit der Eingangskennlinien.
Das muß was anderes sein.

[alfsch]

RTFM.

mosfet werden hochohmiger, tk positiv, aber je nach typ erst zb bei mehr als 10 A.

[eurofighter]

@ sixtas

nein, ich meine eine vorgängerschaltung ohne OP. bei der mit OP war alles schön konstant (bis auf die geregelte gatespannung )


@ alfsch

IRTFM

tk pos...das dachte ich ja auch



ich stemppel das ganze mal als "wegen unbekannter äußerer einflüsse" als erledigt ab ^^

[Hoppenstett]

Die Verwendung von Mos-Fets z.B. IRF610 ... IRF840 als HV Z-Diode, ist das dauerhaft möglich? ... welche Nachteile hat dies?

[Hans Dorn]

Willst Du die Body-Diode zum zenern bringen?

[Rumgucker]

...offensichtlich...

[Hoppenstett]

... die Lautsprecher-EMK tut das doch auch ...

[Rumgucker]

Nö. Die bringt die body-Dioden (schlimmstenfalls) zum Leiten. Nicht aber zum Zenern.

[Hoppenstett]

Ich dachte Zener geht nur bis 5,5V, darüber Avalanche ...

[Rumgucker]

Mag sein. Aber die EMK avalanched auch nichts.

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von eurofighter

jo, ich dachte auch immer, das die dinger dann hochohmiger werden


aber dieser kleine versuch mit der simplen schaltung hat mir irgendwie was anders gezeigt

Das ist leider ein weit verbreiteter Irrtum

Zwar wird der On-Widerstand höher mit der Temperatur, wenn man volle gate-Ansteuerung anlegt.

Aber im Linearbetrieb ist der Tk der Gate-Spannung genau umgekehrt.
D.h. der drain-Strom nimmt dort mit der Temperatur zu.

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von Hoppenstett

Die Verwendung von Mos-Fets z.B. IRF610 ... IRF840 als HV Z-Diode, ist das dauerhaft möglich? ... welche Nachteile hat dies?

Das läuft auf Avalanche-Durchbruch hinaus.
Die meisten MOSFET sollten damit kein Problem haben, d.h.
damit hast Du eine "Zener"-Diode die Du mit der vollen Verlustleistung des MOSFET belasten kannst. (S. Herstellerangaben SOA, avalanche ratings)

[Hoppenstett]

... sicherheitshalber noch Gate mit Source verbinden ...

edit: ... in meinen Dokus sind diese aber nur in Durchlass spezifiziert ...

[voltwide]

Ich meine "single pulse avalanche ratings" und "repetive pulse avalanche ratings". Manchmal steht unter den features auch nur "avalanche rugged" o.ä.
Die SOA-Kuren sind üblicherweise nur für den Durchlassbereich angegeben.