20.10.2010, 12:26 PM
Masseführung
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20.10.2010, 12:49 PM
20.10.2010, 09:39 PM
Also Rumgucker das du nicht weißt was ich meine wundert mich jetzt.
http://de.wikipedia.org/wiki/Fourier-Transformation
http://de.wikipedia.org/wiki/Fourier-Transformation
21.10.2010, 09:30 AM
Zitat:Original geschrieben von Redegle
Also Rumgucker das du nicht weißt was ich meine wundert mich jetzt.
http://de.wikipedia.org/wiki/Fourier-Transformation
Du schriebst aber:
Zitat:Original geschrieben von Redegle
Jetzt geh ich erstmal schlafen habe Morgen früh nämlich Transformationen und muss gegen 6:20 aufstehen.
Um die Zeit kann man auch ne Morgenlatte, Pickeln, nen Kater oder ne unbekannte Tusse neben sich haben. Warum also keine Transformationen?
Das was Du meintest, war aber mehr das "machen". Es hätte also heißen müssen:
Zitat:Original geschrieben von Redegle
Jetzt geh ich erstmal schlafen mache Morgen früh nämlich Transformationen und muss gegen 6:20 aufstehen.
Ich bin mir im Moment allerdings unschlüssig, ob ich bei diesem Satz an Fourier gedacht hätte....
21.10.2010, 11:27 AM
Transformationen ist bei uns ein Studienfach!
Ich hätte also auch schreiben können:"Jetzt geh ich erstmal schlafen habe Morgen früh nämlich Mathematikunterricht und muss gegen 6:20 aufstehen."
Ich hätte also auch schreiben können:"Jetzt geh ich erstmal schlafen habe Morgen früh nämlich Mathematikunterricht und muss gegen 6:20 aufstehen."
21.10.2010, 11:39 AM
Zitat:Original geschrieben von Redegle
Ich hätte also auch schreiben können:"Jetzt geh ich erstmal schlafen habe Morgen früh nämlich Mathematikunterricht und muss gegen 6:20 aufstehen."
Och nö. Das hört sich zu brav an...
21.10.2010, 05:36 PM
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Och nö. Das hört sich zu brav an...
Ich glaube jetzt weiß ich was du unter Transformationen verstanden wolltest.
Wie kann man das dermaßen missverstehen?
21.10.2010, 05:47 PM
Zitat:Original geschrieben von Redegle
Ich glaube jetzt weiß ich was du unter Transformationen verstanden wolltest.
Wie kann man das dermaßen missverstehen?
Eigentlich ergibt sich die Antwort auf Deine Frage direkt aus dem markierten Satzteil...
23.10.2010, 02:51 PM
@ Rumgucker ich befürchte das ich einfach zu brav bin.
Wie ist eigendlich die Spannungsfestigkeit eines TO220 Gehäuses?
Ich habe den Mosfet IRF740A gefunden.
U= 400V
Ug= 30V
Imax= 10A
R= 0,55ohm 1ohm bei 50°C?
Ciss = 1030pF
Turn on Delay 10ns
Rise time 35ns
Turn off Delay 24ns
Fall Time 22ns
36nC bei 10V 200V
http://www.vishay.com/docs/91051/91051.pdf
Der hat angeblich eine Spannungsfestigkeit von 400V.
Wenn ich nun ein TO220 Gehäuse in eine Platine löte habe ich zwischen den Lötauge vielleicht noch 0,5mm.
Das kann doch niemals ausrechend sein!
Wie soll das funktionieren?
Welche Tabellen verwendet Ihr wenn es um minimale Abstände auf Platinen geht?
Wie ist eigendlich die Spannungsfestigkeit eines TO220 Gehäuses?
Ich habe den Mosfet IRF740A gefunden.
U= 400V
Ug= 30V
Imax= 10A
R= 0,55ohm 1ohm bei 50°C?
Ciss = 1030pF
Turn on Delay 10ns
Rise time 35ns
Turn off Delay 24ns
Fall Time 22ns
36nC bei 10V 200V
http://www.vishay.com/docs/91051/91051.pdf
Der hat angeblich eine Spannungsfestigkeit von 400V.
Wenn ich nun ein TO220 Gehäuse in eine Platine löte habe ich zwischen den Lötauge vielleicht noch 0,5mm.
Das kann doch niemals ausrechend sein!
Wie soll das funktionieren?
Welche Tabellen verwendet Ihr wenn es um minimale Abstände auf Platinen geht?
23.10.2010, 05:31 PM
Ich kenne und verbaue im TO-220-Gehäuse auch 800V-Typen.
Das drain ist ja der Mittelpin, und man tut gut daran, ihn etwas abgeknickt zu führen, so dass die Lötpads ein Dreieck bilden.
Auf die Weise bekommt man wieder erträgliche Abstände hin.
Ansonsten bin ich ganz Deiner Meinung: Die Abstände beim T0220
sind eher ein Witz, insbesondere die Kriechstrecken am Gehäuse,
dort wo die Anschlussdrähte verdickt sind.
Komischerweise funktioniert das aber auch in der Serie,
mir sind da noch keine Klagen gekommen.
Das drain ist ja der Mittelpin, und man tut gut daran, ihn etwas abgeknickt zu führen, so dass die Lötpads ein Dreieck bilden.
Auf die Weise bekommt man wieder erträgliche Abstände hin.
Ansonsten bin ich ganz Deiner Meinung: Die Abstände beim T0220
sind eher ein Witz, insbesondere die Kriechstrecken am Gehäuse,
dort wo die Anschlussdrähte verdickt sind.
Komischerweise funktioniert das aber auch in der Serie,
mir sind da noch keine Klagen gekommen.
...mit der Lizenz zum Löten!
23.10.2010, 06:31 PM
Das mit dem Dreieck ist eine gute Idee!
Normalerweise gilt als Faustregel 1000V durchschlägt 1mm Luftstecke.
Hier is mal ein Bild von dem Abmaßen eines TO220 Gehäuses.
http://www.qsl.net/dl7avf/outlines/to220i.gif
Zwischen 2 Pins ist eine Kriechstecke von 1,24mm wenn ich vom worstcase der Toleranzen ausgehe.
Bei den von dir angesprochenen 800V wäre ich also sehr vorsichtig!
Vor allem ist die Frage was passiert, wenn die Luftfeuchtigkeit etwas zunimmt oder man die Schaltung an einer etwas höheren Position betreibt. Aber normalerweise sollte es bei 800V zu keinem Durchschlag kommen.
Normalerweise gilt als Faustregel 1000V durchschlägt 1mm Luftstecke.
Hier is mal ein Bild von dem Abmaßen eines TO220 Gehäuses.
http://www.qsl.net/dl7avf/outlines/to220i.gif
Zwischen 2 Pins ist eine Kriechstecke von 1,24mm wenn ich vom worstcase der Toleranzen ausgehe.
Bei den von dir angesprochenen 800V wäre ich also sehr vorsichtig!
Vor allem ist die Frage was passiert, wenn die Luftfeuchtigkeit etwas zunimmt oder man die Schaltung an einer etwas höheren Position betreibt. Aber normalerweise sollte es bei 800V zu keinem Durchschlag kommen.
23.10.2010, 07:28 PM
letztendlich ist es eine Frage des Verschmutzungsgrades, der Luftfeuchtigkeit, etc, bis es dann mal irgendwann knallt.
Mein Tip: Die feuchte Salzluft auf den friesischen Inseln bietet
das ideale Ambiente für einen ausgedehnten Härtetest
Mein Tip: Die feuchte Salzluft auf den friesischen Inseln bietet
das ideale Ambiente für einen ausgedehnten Härtetest
...mit der Lizenz zum Löten!
23.10.2010, 07:44 PM
Nach momentanem Stand möchte ich meine Halbbrücke mit +/-100V betrieben. Der maximale Spannungsunterschied beträgt also 200V.
Viel höher möchte ich nicht gehen. Denn ich weiß nicht ob es entsprechende Kondensatoren gibt welche noch erschwinglich sind und die Spannungsfestigkeit meines Optokopplers beträgt auch "nur" 600V. Wobei ich von dieser Seite ohne Probleme auf +/- 300V gehen könnte.
Denke also bei den 1,24mm ist die Spannung niedrig genug sein.
Welchen Leiterabstand verwendet man bei 400V
Übrigens könnte es auch Probleme mit den Mosfets geben. Habe nun mehrere gefunden wo im Datenblatt mit niedrigem Rdson geworben wird (0,3-0,55ohm) und das bei 400V. Bei genauem nachlesen könnte ich dann herrausfinden, dass dieser Widerstand bei einer Temperatur von -50°C gilt. Bei Betriebstemeratur (50°C) haben diese dann den doppelten Widerstand. Irgendwie schon dreist.
Viel höher möchte ich nicht gehen. Denn ich weiß nicht ob es entsprechende Kondensatoren gibt welche noch erschwinglich sind und die Spannungsfestigkeit meines Optokopplers beträgt auch "nur" 600V. Wobei ich von dieser Seite ohne Probleme auf +/- 300V gehen könnte.
Denke also bei den 1,24mm ist die Spannung niedrig genug sein.
Welchen Leiterabstand verwendet man bei 400V
Übrigens könnte es auch Probleme mit den Mosfets geben. Habe nun mehrere gefunden wo im Datenblatt mit niedrigem Rdson geworben wird (0,3-0,55ohm) und das bei 400V. Bei genauem nachlesen könnte ich dann herrausfinden, dass dieser Widerstand bei einer Temperatur von -50°C gilt. Bei Betriebstemeratur (50°C) haben diese dann den doppelten Widerstand. Irgendwie schon dreist.
23.10.2010, 08:00 PM
Spannungsdurchschläge sind nicht nur eine Frage der Spannung.
Die Gefahr des Durchschlages wächst auch mit der Spannungsrate dV/dt.
Und da in realen Schaltwandleern die Spannungsrate meist zunimmt mit
der Belastung, wächst damit auch die Gefahr des Durchschlages.
Auf dieses Phänomen bin ich gestossen, nachdem mir ein gate-Ansteuerübertrager durchgeschlagen ist zwischen der hi-side nach der lo-side-gate-Wicklung: Intelligenterweise waren diese aus einfachem Cu-Lackdraht, nur die Primärwidklung war verstärkt isoliert...
Dazu ein Zahlenbeispiel: Bei einer slewrate von 50V/us fliesst durch 20pF ein Stromimpuls von 1 Amp.
Die Gefahr des Durchschlages wächst auch mit der Spannungsrate dV/dt.
Und da in realen Schaltwandleern die Spannungsrate meist zunimmt mit
der Belastung, wächst damit auch die Gefahr des Durchschlages.
Auf dieses Phänomen bin ich gestossen, nachdem mir ein gate-Ansteuerübertrager durchgeschlagen ist zwischen der hi-side nach der lo-side-gate-Wicklung: Intelligenterweise waren diese aus einfachem Cu-Lackdraht, nur die Primärwidklung war verstärkt isoliert...
Dazu ein Zahlenbeispiel: Bei einer slewrate von 50V/us fliesst durch 20pF ein Stromimpuls von 1 Amp.
...mit der Lizenz zum Löten!
23.10.2010, 08:38 PM
1A kommt mir ein bissche viel vor.
Es gilt doch I = C * dU/dt
Also bei einem Farad und einer Spannungsänderung von 1V/s fließt genau 1A.
Das hieße doch, damit bei 20pF ein Ampere fließt muss ich eine Spannungsänderung von 20V/ps haben.
Aber die Abhängigkeit mit der veränderlichen Verschiebungsflussdichte klingt logisch.
Es sollte später auf 200V/20ns herrauslaufen. Also 10V/ns.
Es gilt doch I = C * dU/dt
Also bei einem Farad und einer Spannungsänderung von 1V/s fließt genau 1A.
Das hieße doch, damit bei 20pF ein Ampere fließt muss ich eine Spannungsänderung von 20V/ps haben.
Aber die Abhängigkeit mit der veränderlichen Verschiebungsflussdichte klingt logisch.
Es sollte später auf 200V/20ns herrauslaufen. Also 10V/ns.
23.10.2010, 09:30 PM
Zitat:Original geschrieben von RedegleWer breitere Abstände braucht und sowieso bei diesem Rdson liegt, muss halt andere Kaliber verwenden.
Denke also bei den 1,24mm ist die Spannung niedrig genug sein.
Welchen Leiterabstand verwendet man bei 400V
Übrigens könnte es auch Probleme mit den Mosfets geben. Habe nun mehrere gefunden wo im Datenblatt mit niedrigem Rdson geworben wird (0,3-0,55ohm) und das bei 400V. Bei genauem nachlesen könnte ich dann herrausfinden, dass dieser Widerstand bei einer Temperatur von -50°C gilt. Bei Betriebstemeratur (50°C) haben diese dann den doppelten Widerstand. Irgendwie schon dreist.
Rdson bei 25DegC.
23.10.2010, 09:50 PM
Der hohe Rdson ist nicht gewünscht.
Ich habe geschaut, welcher Mosfet über 400V hat und in ca. 20ns schaltet.
Hierbei fiel die Wahl auf den IRF740A.
Sind die Datenblattangaben eigendlich physikalische Grenzen des Mosfets oder kann man mit einer schnelleren Ansteuerung kürzere Schaltzeiten erreichen?
Ich habe geschaut, welcher Mosfet über 400V hat und in ca. 20ns schaltet.
Hierbei fiel die Wahl auf den IRF740A.
Sind die Datenblattangaben eigendlich physikalische Grenzen des Mosfets oder kann man mit einer schnelleren Ansteuerung kürzere Schaltzeiten erreichen?
23.10.2010, 09:58 PM
Zitat:Original geschrieben von RedegleDann mach was du denkst.
Der hohe Rdson ist nicht gewünscht.
Ich habe geschaut, welcher Mosfet über 400V hat und in ca. 20ns schaltet.
Hierbei fiel die Wahl auf den IRF740A.
Sind die Datenblattangaben eigendlich physikalische Grenzen des Mosfets oder kann man mit einer schnelleren Ansteuerung kürzere Schaltzeiten erreichen?
23.10.2010, 10:58 PM
Im Datenblatt stehen Spezifikationen, die unter den angegebenen Bedingungen
eingehalten werden (sollten). Bei Schaltzeiten wird üblicherweise der zusätzliche gate Vorwiderstand angegeben. Mit kleineren gate-Vorwiderständen kann die Schaltgeschwindigkeit meist noch gesteigert werden.
Davon mal abgesehen ist der IRF740 eine uralt-Krücke und alles andere als erste Wahl für eine getaktete Brückenschaltung.
Viel wichtiger als irgendwelche Schaltzeiten ist das Reverse-Recovery-Verhalten der intrinsischen Dioden. Was man spätestens dann lernt,
wenn unter Volllast die Transen scheinbar grundlos kaputt gehen.
eingehalten werden (sollten). Bei Schaltzeiten wird üblicherweise der zusätzliche gate Vorwiderstand angegeben. Mit kleineren gate-Vorwiderständen kann die Schaltgeschwindigkeit meist noch gesteigert werden.
Davon mal abgesehen ist der IRF740 eine uralt-Krücke und alles andere als erste Wahl für eine getaktete Brückenschaltung.
Viel wichtiger als irgendwelche Schaltzeiten ist das Reverse-Recovery-Verhalten der intrinsischen Dioden. Was man spätestens dann lernt,
wenn unter Volllast die Transen scheinbar grundlos kaputt gehen.
...mit der Lizenz zum Löten!
23.10.2010, 11:00 PM
Ich wollte nur meine Entscheidung begründen das heißt nicht, dass ein größeres Gehäuse eine schlechte Idee ist.
Anbei ein paar Bilder von dem Netzteil. Muss mir nurnoch einfallen lassen, wie ich den Deckel fest bekomme. Im Moment ist dieser mit 4 Magneten befestigt.
Anbei ein paar Bilder von dem Netzteil. Muss mir nurnoch einfallen lassen, wie ich den Deckel fest bekomme. Im Moment ist dieser mit 4 Magneten befestigt.