...und um die Brücke zu den HF-Resonanzen zu schlagen.
Insbesondere der Wechsel zwischen HIGH & LOW bei dem vorher
die Bodydiode leitend war, regt HF-Schwingungen an, da hier erst die Sperrverzugsladung der Bodydiode ausgeräumt werden muss.
Bei großen Fets können das schon mal Strompeaks im 10-50 Ampere-Bereich sein mit einer Dauer einiger zig ns. Die damit verbundenen hohen di/dt (typischerweise 300A/us...1500A/us) bringen reichlich Unruhe. Die induktiven Spannungsabfälle auf den Leitungen ergeben dann zusammen mit den Kapazitäten leicht HF-Schwingungen.
Führt dann oft zu "unerklärlichem" Ansprechen von Schutzschaltungen, oder zu defekten Treibern bei gleichzeitig unbeschadet bleibenden Leistungstransistoren (nur im Extremfall auch zur Zertsörung der MosFets).
Bei deiner kleinen Leistung sind class D amps noch recht gutmütig,
aber zur Beobachtung/Untersuchung dieser Effekte könnte es doch schon reichen.
P.S.
Funkmäuse finden solche Schwingungen auch doof. Egal ob sie von einem Class D amp oder Schaltnetzteilen kommen...
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#Lukas cool!
und bzgl totzeit-erzeugung: guck mal meinen "exdog" an..
http://d-amp.org/include.php?path=forum/...readid=309
#voltwide
pwm anhören...guter tip !
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Die Toleranzen der Caps liegen typischerweise bei 5%, oder besser.
Den größten Zeitfehler machen eher die Toleranzen der Schaltschwellen der damit angesteuerten Gatterbausteine.
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Wie lösen das Eigentlich IRF und co in ihren Treibern mit integrierter Deadtime?
EDIT: Wie groß soll ich eigentlich die Gate-Widerstände machen? Warum nich gleich weglassen?
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die toleranzen c1 /c2 sind wohl das geringste problem an nem d-amp
+ in den chips wird das vmtl genauso gemacht, die angegeben toleranzen sind ja entsprechend gross (integrierte bauteile haben ohne abgleich meist grössere unterschiede)
+
gate widerstd -> sind ein kompromiss
1. gross = langsameres schalten -> wenig hf-störungen, geringe shoot-probleme, mehr verluste
2. klein = schnelles schalten -> massive hf + shoot probleme, geringere verluste
--> daher meist: langsamer einschalten, zb 20 ohm , aber schnell abschalten , diode par zum r ( = kleiner r beim gate entladen)
wie gross der gate r sein sollte, hängt daher erstmal von der grösse des fet und der vorgesehenen schltgeschwindigkeit ab
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Also vor den Treibern keine Gedanken um Totzeit machen, dioden parallel zu den Gate-Widerständen reichen?
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jein
du musst erst wissen, wieviel totzeit deine fets brauchen, dh meist nicht die gleiche zeit zum ein-/aus-schalten (ein geht meist schneller, daher ja das ganze problem)
wenn die nötige tot-zeit recht klein ist, kann das mit dem r+diode meist erledigt werden.
nur wenn das nicht sinnvoll geht, dh du bräuchtest zb 200 ohm vor dem gate, um die nötige verzögerung zu bekommen, dann muss die totzeit eben vor dem treiber schon erzeugt werden
bei fetten mosfet eigentlich immer, da deren grosse gate-ladungen nur mit sehr wenig widerstand vor dem gate optimal schnell zu schalten sind, was natürlich keinen spielraum für grosse r lässt; somit muss dann immer vor dem treiber ...
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nee, nicht unbedingt
hab mir grad mal das db irfb4212 angesehen, sieht ja ganz gut aus, das ding
vor allem: Ton ca 35ns , Toff ca 20ns -> da könnte r+diode schon reichen
mit 20 ohm + 1n4148 am gate bekommst etwa 10ns on-delay zusätzlich, das sollte dann eigentlich reichen
-> muddu halt mal real testen
hier ne simu vom r+d
https://stromrichter.org/d-amp/content/i...te-r-d.asc
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Ich habs grad ma ohne wirkliche deadtime ausprobiert
-> inv. Signal per Nichtgatter erzeugt (ja ich weiß, gatterlaufzeiten und so)
-> keine Dioden parallel zu Gate-Rs
keine erhöhte Stromaufnahme. (Oder reicht das nicht, um zu wissen, dass es keine Durchschüsse gibt)
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na, is zumindest der hinweis, dass es keine massiven shoots gibt
die r+d würde ich reinsetzen, paar ns extra ...zur sicherheit
+ die perfekte hi/lo split schaltung:
mit exor , wie mein exdog-schaltung, nur ohne die r-c ;
achja...zum lesen:
http://www.d-amp.org/include.php?path=fo...readid=309
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Sicher schon mal ein guter Anfang. Der Härtefall tritt aber erst ein
unter Volllast, wenn die abzuschaltenden Ströme maximal werden.
In den Rauchpausen nach den Tests hilft manchmal das folgende Mantra:
"Der simple-switcher schwitzt im switch-mode!"
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schön !
- aber nimm statt dem AC86 lieber nen HC86 , die AC machen nur mehr spikes und die paar ns speed-vorteil machen hier wohl wenig aus
- das rc nach ic 3f versteh ich spontan nicht...wegen dc potential ?
- die 10r an den gates...würde eher 20 ..27 nehmen
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1n4148 is ok.
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Die RefSpannungserzeugung mit LM358 und den komplementär-Emitterfolgern
weist eine Totzone auf, die der OPV bei höheren Frequenzen nicht mehr
ausregeln kann. Deshalb solltest Du mal bei der Simulation auf die
Stabilität dieser Spannungen achten!
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