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E810F Pentode Spice Modell
Hallo,
ich habe mal noch eine Frage zu Mosfets: Warum werden immer x-Mosfets parallel geschalten? Kann man nicht einfach einen "dicken" pro Halbbrücke nehmen, wie z.B.:
http://www.microsemi.com/datasheets/APL1001J.pdf
Oder handelt man sich da irgendwelche Probleme ein? ;think

Danke!

Grüße

Bambam
 
Du hast was fallen lassen: "f"

Wink
 
Hallo,
danke für den Hinweis! Ich habe es korrigiert!

Grüße

Bambam
 
Die Parallelisierung hat IMHO viele Vorteile:

+ die Temperaturverteilung auf dem Kühlkörper ist gleichmäßiger
+ die Gesamtinduktivitäten vermindern sich
+ viele kleine Ströme sind leichter zu beherrschen als ein großer Strom
usw...

...aber auch Nachteile:

- mehr Montageaufwand
- mehr Bestell- und Lageraufwand
- umfangreichere Kontrollen und QS.

Die Vorteile der Parallelisierung sehe ich also mehr im technischen Bereich und deren Nachteile eher im kaufmännischen Bereich. Wenns also aufs Geld nicht so ankommt, sollte man eher parallelisieren.
 
Hallo,
d.h. ich muss mir zwangsweise einen Mosfet aussuchen, der bei konstantem Vgs und einer steigenden Temperatur einen fallenden Drain Strom hat, oder? Sonst würde ja bei einer Parallelschaltung mehrerer Mosfets einer z.B. thermisch abhauen? Hab ich mir das so richtig zusammen gereimt? ;think

z.B. so einer:

2sk1056ds

Sorry für die vielen Fragen, aber ich kenne mich mit Mosfets nicht so aus...

Danke!

Grüße

bambam
 
Werden nicht alle MOSFETs bei höherer Temperatur hochohmiger? misstrau Ich denke "ja".
 
Zum Temperaturgang von PowerMOSFETs: Der Rdson eines voll
durchgesteuerten PowerMOSFET (Schaltbetrieb) nimmt mit
der Temperatur deutlich zu, hierin unterscheiden sich
die meisten Typen kaum.

Etwas ganz anderes ist linearer Betrieb.
Die Id/Vg-Kennlinie des von BamBam gezeigten PowerMOSFET
zeigt oberhalb von 100mA drain-Strom die gewünschte Charakteristik,
nämlich einen mit der Temperatur abnehmenden drain Strom.
Bei 100mA ist er temperaturunabhängig.
Und darunter kehrt er sich um!
Dieses Verhalten scheint ebenfalls typisch zu sein,
habe ich jedenfalls schon oft gesehen.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Also wär es nicht dumm, denen kleine Source-Widerstände zu spendieren, wenn man sie parallel betreiben will. Das ist ja doof.

 
Nicht nur das: Die gate-Spannung streut ja auch nicht ganz
unerheblich zwischen einzelnen Exemplaren.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Also müssen wir bambam doch eher eine großen Einzel-MOSFET empfehlen? misstrau
 
Ich denke ja!
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Hallo,
in wie weit können da die Gate-Spannungen streuen? Gibt es dazu im Datenblatt einen Kennwert?

Wenn ich aber einen Mosfet pro Halbbrücke verwende, kann mir der Temperaturgang ja dann egal sein, oder?;think

Das bedeutet also doch wieder suchen, nach einem "dicken" Mosfet der auch noch linear sein sollte, geringe Eingangskapazitäten haben soll, usw...

Grüße

bambam
 
Zitat:Original geschrieben von bambam
Wenn ich aber einen Mosfet pro Halbbrücke verwende,...

DIE Schaltung würde ich gern mal sehen lachend . Das wär dann ja ne Viertelbrücke klappe
 
Hallo,
ähm ja :

PPP=Circlotron

Grüße

bambam
 
Bleibt trotzdem ne Halbbrücke.
 
Hallo,
mhhh ich denke, der Rest der Welt wird sich schon was dabei gedacht haben, mehrere Mosfets zu verwenden... ich weiß nur noch nicht den Grund oder den entscheidenden Vorteil...


Grüße

bambam
 
Streung der gate-Spannung:
Im Datenblatt wird normalerweise die Schwellspannung
(threshold) spezifiziert. Üblich waren immer min2V typ3V max4V.
Also eine vom Hersteller garantierte Streubreite
der gate-Spannung von höchstens +/-1V.
Das wäre natürlich eine ganze Menge. Anderseits sind das
Garantiewerte. Und zumindest bei den alten 2sk50/2sk135 war die
tatsächliche Streuung so niedrig, dass ich seinerzeit
36 Paare in einem Class-B-Verstärker zusammengeschaltet hatte
für einen 5kW-Monoblock. Und der ist über Jahre gelaufen.
Also wenn Du MOSFETs aus derselben Liefercharge nimmst,
wird die tatsächliche Streuung vermutlich hinreichend klein sein. Ansonsten hilft da nur ausmessen.

...mit der Lizenz zum Löten!
 
SJ 50 und SK 135 sind Lateral Fets, sebstleitend. die kann man mit standard Mos nicht vergleichen.
 
Nein, diese MOSFETs sind mit Sicherheit NICHT selbstleitend.
Lateral mag sein.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Hallo voltwide, Rumgucker,
Danke für die Infos ;prost

Grüße

Bambam