07.01.2010, 12:37 PM
Zuerst hab ich die heiße Messung gemacht und dann hab ich die Abkühlung durchgeführt. Mit zunehmender Abkühlung sank der Basisstrom langsam runter. Nach rund 5 Minuten tat sich nichts mehr. Da hat nichts geschwungen.
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Bipolartransistor Grundlagen
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07.01.2010, 06:38 PM
Fein, nun wisst Ihr auch, dass bei einem BJT hfe mit der Temperatur steigt.
Und ? Weiter ?
Und ? Weiter ?
07.01.2010, 06:44 PM
Ums 3-fache, Darius und nicht um 10% oder so.
07.01.2010, 06:59 PM
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Ums 3-fache, Darius und nicht um 10% oder so.
Das hängt von der Temperaturänderung ab.
Du hast den Transistor hoffnungslos überlastet. (Thermisch)
Das kann Dir ausser mir natürlich niemand hier erklären.
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Echt tolle User hast Du hier im Forum, die lassen Dich ins offene Messer laufen. Helfen kein Stück.
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07.01.2010, 07:14 PM
Wenn Du die Messung einmal selbst machen würdest, so würdest Du nicht so einen Dreckmist brabbeln.
Am Anfang werden die 25 Watt allein im BJT umgesetzt. Das dauert einige Zeit, bis der KK überhaupt warm wird. Nach 60 Sekunden hab ich die Messung schon beendet, Spannung runter und Ventilator an.
Wenn der KK auch noch heiß gewesen wäre, so würde sich alles noch verschlimmern.
Am Anfang werden die 25 Watt allein im BJT umgesetzt. Das dauert einige Zeit, bis der KK überhaupt warm wird. Nach 60 Sekunden hab ich die Messung schon beendet, Spannung runter und Ventilator an.
Wenn der KK auch noch heiß gewesen wäre, so würde sich alles noch verschlimmern.
07.01.2010, 07:23 PM
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Wenn Du die Messung einmal selbst machen würdest, so würdest Du nicht so einen Dreckmist brabbeln.
Am Anfang werden die 25 Watt allein im BJT umgesetzt. Das dauert einige Zeit, bis der KK überhaupt warm wird. Nach 60 Sekunden hab ich die Messung schon beendet, Spannung runter und Ventilator an.
Wenn der KK auch noch heiß gewesen wäre, so würde sich alles noch verschlimmern.
Na na nicht wieder ausfällig werden.
Ich habe die Messung doch gestern Abend für Dich gemacht.
So richtig mit IR-Thermometer.
Deckt sich auch mit dem was Philips angibt.
Und dem was ich heute im Apparat gemessen habe. ...
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07.01.2010, 07:52 PM
Um messtechnisch die Erwärmungseffekte von der Spannungsabhängikeit zu trennen schlage ich gepulste Messungen mit dem Scope vor.
z.B:
0.2ms Pulse und 50Hz Wiederholrate.
Wünschenswert sind natürlich möglichst kurze Pulse und
lange Pausen. Allerdings muessen die Pulse lang genug sein,
dass man aus der Anstiegsflanke von Ic raus ist.
Für Messungen im Bereich einzelner % taugt das Scope zwar wenig,
aber wenn es um zig % oder gar noch mehr geht, dann sollte diese
Methode kein Problem sein.
z.B:
0.2ms Pulse und 50Hz Wiederholrate.
Wünschenswert sind natürlich möglichst kurze Pulse und
lange Pausen. Allerdings muessen die Pulse lang genug sein,
dass man aus der Anstiegsflanke von Ic raus ist.
Für Messungen im Bereich einzelner % taugt das Scope zwar wenig,
aber wenn es um zig % oder gar noch mehr geht, dann sollte diese
Methode kein Problem sein.
07.01.2010, 08:36 PM
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Ums 3-fache, Darius und nicht um 10% oder so.
In deiner Vergleichsmessung änderst du zwei Parameter ganz gravierend:
Temperatur & und Uce
Es hilft alles nix.
Die Testanordnung muss die Erwärmung des Chips gering halten.
Nur dann lässt sich von der Kühlkörpertemperatur direkt auf die Chiptemperatur schließen. Sobald nennenswerte Verlustleistungen
auftreten, lässt sich die Chiptemperatur nur noch rechnerisch von der KK-Temperatur ausgehend via Verlustleistung und thermischen Widerständen abschätzen... Viel Huddel mit großer Ungenauigkeit.
Bei Pulsen mit kleinem Tastverhältnis und geringen Verlusten
kann man entweder vereinfachend die Chiptemperatur als ähnlich der Kühlkörpertemperatur ansehen.
Oder wer es genauer mag, kann natürlich genaue via Verlustleistung und dynamischen thermischen Widerständen (sind aber of nicht im DB drin....)
ein paar Kelvin Korrektur rechnen.
Nun kann man via KK-Temperatur die Chiptemperatur halbwegs vorgeben und Uce variieren.
So lassen sich Temperatureinfluss und Spannungseinfluss weitgehend getrennt messen.
Wer mag, darf das gesamte Kennlinienfeld mit unterschiedlichen Temperaturen und unterschiedlichen Ib vermessen.
08.01.2010, 09:42 AM
Choco: ich hatte nicht vor, den kalten hfe zu messen!
Bitte versteh doch, dass Darius seinen hfe (bei 5V) kalt gemessen hat und mit "10" angab. Aber dann behauptet er, dass auch ein heißer hfe (bei 250V) lediglich wenige Prozente über dem kalten hfe liegt.
Und diese Aussage ist nach meinen Messungen an meinem BJT defintiv falsch. Darius muss mit einem heißen hfe von "30" rechnen, wenn der kalte schon "10" beträgt.
Bitte versteh doch, dass Darius seinen hfe (bei 5V) kalt gemessen hat und mit "10" angab. Aber dann behauptet er, dass auch ein heißer hfe (bei 250V) lediglich wenige Prozente über dem kalten hfe liegt.
Und diese Aussage ist nach meinen Messungen an meinem BJT defintiv falsch. Darius muss mit einem heißen hfe von "30" rechnen, wenn der kalte schon "10" beträgt.
08.01.2010, 10:07 AM
Rumgucker, bitte unterlasse es endlich Falsches über mich zu schreiben, in der Hoffnung, dass ich Dir Fragen beantworte die Du nicht zu stellen wagst. Es nervt echt.
Ich behaupte nichts anderes als im PH-Datenblatt steht, meine Messungen haben das bestätigt.
Ich kann auch nichts dafür, dass Rungucker keine Diagramme lesen kann.
Hatten wir schonmal diskutiert, bringt nichts. Teils gelöscht, teils vorhanden, hyperlinks tot.
Ist natürlich die Forensoft schuld. Wer sonnst ?!
Wenn Du nicht nach Rumnguckers Pfeife tanzt, macht er Dich gefügig oder flamet / wirft Dich heraus.
Ganz einfache Kiste.
Ich behaupte nichts anderes als im PH-Datenblatt steht, meine Messungen haben das bestätigt.
Ich kann auch nichts dafür, dass Rungucker keine Diagramme lesen kann.
Hatten wir schonmal diskutiert, bringt nichts. Teils gelöscht, teils vorhanden, hyperlinks tot.
Ist natürlich die Forensoft schuld. Wer sonnst ?!
Wenn Du nicht nach Rumnguckers Pfeife tanzt, macht er Dich gefügig oder flamet / wirft Dich heraus.
Ganz einfache Kiste.
08.01.2010, 10:15 AM
Zitat:Original geschrieben von obamaimladenWo?
Hatten wir schonmal diskutiert, bringt nichts. Teils gelöscht, teils vorhanden, hyperlinks tot.
Ist natürlich die Forensoft schuld. Wer sonnst ?!
Zitat:Original geschrieben von obamaimladenHast Du es noch dicker?
Wenn Du nicht nach Rumnguckers Pfeife tanzt, macht er Dich gefügig oder flamet / wirft Dich heraus. Ganz einfache Kiste.
08.01.2010, 10:16 AM
Zitat:Original geschrieben von obamaimladen
...meine Messungen haben das bestätigt.
Glaub ich Dir nicht.
08.01.2010, 10:42 AM
Wollen wir diesen Thread in die Inhaltsangabe aufnehmen?
So richtig spannend finde ich ihn nicht. Zumindest nicht, wenn es nur bei meiner einen Messung bleibt.
Ich bin dafür, ihn nicht in den Inhalt aufzunehmen. Ich hab sowieso nicht verstanden, warum Darius eigens dafür nen Thread aufmacht, dann aber dem Threadtitel in keinster Weise gerecht wird.
Naja...
So richtig spannend finde ich ihn nicht. Zumindest nicht, wenn es nur bei meiner einen Messung bleibt.
Ich bin dafür, ihn nicht in den Inhalt aufzunehmen. Ich hab sowieso nicht verstanden, warum Darius eigens dafür nen Thread aufmacht, dann aber dem Threadtitel in keinster Weise gerecht wird.
Naja...
08.01.2010, 08:00 PM
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Choco: ich hatte nicht vor, den kalten hfe zu messen!
Mit meiner Methode kannst du einen heißen oder auch einen kalten hfe messen. Die Temperatur kannst du über die Kühlkörpertemperatur von außen beliebig vorgeben.
(Da wir hier im Class D Forum sind, ist eine variable Beheizung des Kühlkörpers mittels Röhren wohl am naheliegendsten
Ansonsten tut es auch ein Heissluftföhn. )
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Bitte versteh doch, dass Darius seinen hfe (bei 5V) kalt gemessen hat und mit "10" angab. Aber dann behauptet er, dass auch ein heißer hfe (bei 250V) lediglich wenige Prozente über dem kalten hfe liegt.
Und diese Aussage ist nach meinen Messungen an meinem BJT defintiv falsch. Darius muss mit einem heißen hfe von "30" rechnen, wenn der kalte schon "10" beträgt.
Die Chiptemperaturen sind bei dir als auch bei Darius undefiniert.
Vermutlich ist in deinem Aufbau die Chiptemperatur aber doch höher als Darius das vorschwebte.
Beide Effekte zusammen scheinen in deinem Extremfall den Faktor 3 zu ergeben.
Was aber evtl. nicht nur Spannung und Temperatur zurückzuführen ist, sondern auch noch darauf, dass hfe zu allem Überfluß auch abhängig vom Kollektorstrom ist. In deiner Anordnung zieht sich das gesamte System rauf, wenn man mit konstantem Basisstrom arbeitet und die Uce als auch die Temperatur hemmungslos erhöht.
Aussagen wie "Faktor 3" ohne Temperaturangaben als auch ein lapidares "10%" gehen beide an der Realität vorbei - nur halt in entgegengesetzte Richtungen.
Die Temperatur alleine macht selten mehr als 30% zwischen 25°C & 100°C.
Die Uce-Abhängigkeit unterscheidet sich massivst von Typ zu Typ und bei PNP scheinen stärkere Uce-Abhängigkeiten zu herschen als bei NPN.
(Rein phenomenologische Beobachtung bei der Transistorsuche für ne VAS mit brauchbarer Versorgungsspannungssuche....)
Edit: Versorgungsspannungssuche = Versorgungsspanungsunterdrückung
Tja und die hfe-Abhängigkeit von Ic ist meist als krumme Gurke im Datenblatt zu finden, die erst ansteigt und dann wieder fällt.
Und nur wenn man die Effekte korrekt auseinanderhält kann man konstruktiv gezielt eingreifen.
P.S.
Kann es sein, dass du deinen Aufbau absichtlich so gewählt hast, um einen möglichst groben Gegenpol zu Darius' Aussage zu schaffen?
08.01.2010, 08:17 PM
Die Chiptemperatur ist definiert! Und zwar dadurch, dass in Darius Schaltung 25 Watt im BJT-Kristall umgesetzt werden. Diese 25 Watt bei Ub=250V sind eine feste Vorgabe.
(Wir können uns jetzt darüber unterhalten, ob mein 2SC5449 diese 25 Watt überhaupt abkann, wenn der KK noch völlig kalt ist.)
Aber über die 25 Watt Verluste im Kristall können wir uns nicht unterhalten. Die werden in Darius Aufbau und in meinem Aufbau gleichermaßen umgesetzt.
Und bei der Aufheizung des Kristalls mit 25 Watt reduziert sich der Basisstrom (bei konstantem Kollektorstrom) in der gemessenen Weise. Ich weiß nicht, was ein anderen Aufbau an diesem Ergebnis ändern soll oder könnte... echt nicht.
(Wir können uns jetzt darüber unterhalten, ob mein 2SC5449 diese 25 Watt überhaupt abkann, wenn der KK noch völlig kalt ist.)
Aber über die 25 Watt Verluste im Kristall können wir uns nicht unterhalten. Die werden in Darius Aufbau und in meinem Aufbau gleichermaßen umgesetzt.
Und bei der Aufheizung des Kristalls mit 25 Watt reduziert sich der Basisstrom (bei konstantem Kollektorstrom) in der gemessenen Weise. Ich weiß nicht, was ein anderen Aufbau an diesem Ergebnis ändern soll oder könnte... echt nicht.
08.01.2010, 08:29 PM
Ist eigentlich deutlich geworden, dass ich nicht über darius Spezial-BJT verfüge und deswegen nur aus Not zu meinem 2SC5449 gegriffen hab?
Darius sollte ja daher auf gleiche Weise nochmal gegenan messen. Hat er aber nicht.
Darius sollte ja daher auf gleiche Weise nochmal gegenan messen. Hat er aber nicht.
08.01.2010, 08:56 PM
Ich hab eben einen 2SC3486 gefunden. Laut DB hat der ne hfe von nur 8, also kommt Darius BU4525 schon perfekt nahe.
Kann ich auch nochmal messen, auch wenn ich keine großen Sensationen erwarte.
Schaff ich aber heute nicht mehr.
Kann ich auch nochmal messen, auch wenn ich keine großen Sensationen erwarte.
Schaff ich aber heute nicht mehr.
09.01.2010, 01:18 PM
Hoppla, ich muss mein letztes Posting korrigieren.
Du hast Ic konstant gehalten.
Also vermischt dein Aufbau nur zwei Effekte.
Chiptemperatur und Uce.
Über die 25W Verluste im Kristall besteht wohl kein Zweifel.
Aber die resultierende Chiptemperatur ist damit eben noch nicht definiert, dafür muss man noch Temperaturmessungen und thermische Widerstände berücksichtigen.
Im DB vom 2SC5449 habe ich leider keine thermischen Widerstände gefunden aber aus der Kennlinie für Leistungsderating 50W bei 25°C und 0W bei 150°C lässt sich der thermische Widerstand zwischen Chip und Metallfläche des Transistors bestimmen. 2,5K/W.
Dann schätzen wir mal etwa 0,5K/W für den Übergang von Transistor zum Kühlkörper. Macht also in Summe ca. 3K/W.
Bei 25W kannst du also davon ausgehen, dass der Silziumkristall etwa um 75K wärmer wird als dein Kühlkörper nahe dem Transistor.
Hinsichtlich SOA sollte es auch keine Probleme geben.
Der Bereich des Secondary Breakdown beginnt beim 2SC5449 erst ab 400V.
Solange du dir also an dem Kühlkörper nicht die Finger verbrennst, sollte auch der Chip innen mit 25W bei 250V keine Probleme haben.
Ich zweifle deine Messergebnisse nicht an.
Schon gar nicht seit dem einen Blick ins DB des 2SC5499 geworfen habe.
Die Typical Output Charakteristic zeigt bei der Kennlinie für 0.2A Basisstrom ca. 16% Anstieg des Kollektorstromes bei Verdoppelung der Uce von 5V auf 10V.
Wenn man das in Richtung 250V hochrechnet, dann steigt der Kollektorstrom mit dieser Spannungsänderung um ca. den Faktor 2.3 an.
Nun ist dein Arbeitspunkt aber bei Basisströmen von weit unter 0.2A und im Kennlinienfeld weisen die Linien für niedrigere Basisströme eine höhere Uce-Abhängigkeit auf... Also ist alleine von der Spannung mehr als der Faktor 2.3 zu erwarten.
Zusammen mit der Temperatur ist der von dir gemessene Faktor 3 leicht glaubhaft.
Trotzdem: Ohne Angabe einer halbwegs sinnvoll abgeschätzten Chiptemperatur, sind deine Messungen nur eine halbe Sache - auch wenn hier im Falle des 2SC4599 IMHO die Spannungsabhängigkeit der dominante Faktor ist.
Du hast Ic konstant gehalten.
Also vermischt dein Aufbau nur zwei Effekte.
Chiptemperatur und Uce.
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Die Chiptemperatur ist definiert! Und zwar dadurch, dass in Darius Schaltung 25 Watt im BJT-Kristall umgesetzt werden. Diese 25 Watt bei Ub=250V sind eine feste Vorgabe.
(Wir können uns jetzt darüber unterhalten, ob mein 2SC5449 diese 25 Watt überhaupt abkann, wenn der KK noch völlig kalt ist.)
Aber über die 25 Watt Verluste im Kristall können wir uns nicht unterhalten. Die werden in Darius Aufbau und in meinem Aufbau gleichermaßen umgesetzt.
Und bei der Aufheizung des Kristalls mit 25 Watt reduziert sich der Basisstrom (bei konstantem Kollektorstrom) in der gemessenen Weise. Ich weiß nicht, was ein anderen Aufbau an diesem Ergebnis ändern soll oder könnte... echt nicht.
Über die 25W Verluste im Kristall besteht wohl kein Zweifel.
Aber die resultierende Chiptemperatur ist damit eben noch nicht definiert, dafür muss man noch Temperaturmessungen und thermische Widerstände berücksichtigen.
Im DB vom 2SC5449 habe ich leider keine thermischen Widerstände gefunden aber aus der Kennlinie für Leistungsderating 50W bei 25°C und 0W bei 150°C lässt sich der thermische Widerstand zwischen Chip und Metallfläche des Transistors bestimmen. 2,5K/W.
Dann schätzen wir mal etwa 0,5K/W für den Übergang von Transistor zum Kühlkörper. Macht also in Summe ca. 3K/W.
Bei 25W kannst du also davon ausgehen, dass der Silziumkristall etwa um 75K wärmer wird als dein Kühlkörper nahe dem Transistor.
Hinsichtlich SOA sollte es auch keine Probleme geben.
Der Bereich des Secondary Breakdown beginnt beim 2SC5449 erst ab 400V.
Solange du dir also an dem Kühlkörper nicht die Finger verbrennst, sollte auch der Chip innen mit 25W bei 250V keine Probleme haben.
Ich zweifle deine Messergebnisse nicht an.
Schon gar nicht seit dem einen Blick ins DB des 2SC5499 geworfen habe.
Die Typical Output Charakteristic zeigt bei der Kennlinie für 0.2A Basisstrom ca. 16% Anstieg des Kollektorstromes bei Verdoppelung der Uce von 5V auf 10V.
Wenn man das in Richtung 250V hochrechnet, dann steigt der Kollektorstrom mit dieser Spannungsänderung um ca. den Faktor 2.3 an.
Nun ist dein Arbeitspunkt aber bei Basisströmen von weit unter 0.2A und im Kennlinienfeld weisen die Linien für niedrigere Basisströme eine höhere Uce-Abhängigkeit auf... Also ist alleine von der Spannung mehr als der Faktor 2.3 zu erwarten.
Zusammen mit der Temperatur ist der von dir gemessene Faktor 3 leicht glaubhaft.
Trotzdem: Ohne Angabe einer halbwegs sinnvoll abgeschätzten Chiptemperatur, sind deine Messungen nur eine halbe Sache - auch wenn hier im Falle des 2SC4599 IMHO die Spannungsabhängigkeit der dominante Faktor ist.
09.01.2010, 09:46 PM
A bisserl seltsam isses schon, dass die Output Charakteristic vom 2SC5499 bei kleinen Basiströmen stärker von Uce abzuhängen scheint als bei großen Strömen.
Normalerweise ist es andersrum..
Anyway, je nach Transistor kann die Uce-Abhängigkeit gigantisch sein.
Von den anderen Transistoren habe ich leider keine Datenblätter mit den relevanten Kennlinien.
Da hilft nur messen... und wenn es in der Anwendung aufs dynamische Verhalten ankommt, wird es langsam interessant. Insbesondere bei so Boliden wie dem BU4525AW. Da ist ein erster optischer Scope-Eindruck im gepulsten Betrieb auch schon mal besser als ne plumpe Zahl aufm DMM.
Allerdings muss man sich das dynamische Verhalten letztendlich doch mit Beschaltungs- und Ansteuerimpedanzen anschauen, die der Anwendung nahe kommen.
Muss? Welch ein Unfug. ...ich bin und bleib ne altmodische und einfältige TekkiSeele, dass ich glaube man muesste sich seine Schaltungen so genau anschauen...
Moderne Ings der neuen Supermächte machen das eher so.
Aufbauen, einschalten, BUMM: Can't work.
Aufbauen, einschalten, nicht BUMM: Can work. Ready for mass production.
Und irgendwie gibt der wirtschaftliche Erfolg den Jungs zumindest teilweise recht.
Normalerweise ist es andersrum..
Anyway, je nach Transistor kann die Uce-Abhängigkeit gigantisch sein.
Von den anderen Transistoren habe ich leider keine Datenblätter mit den relevanten Kennlinien.
Da hilft nur messen... und wenn es in der Anwendung aufs dynamische Verhalten ankommt, wird es langsam interessant. Insbesondere bei so Boliden wie dem BU4525AW. Da ist ein erster optischer Scope-Eindruck im gepulsten Betrieb auch schon mal besser als ne plumpe Zahl aufm DMM.
Allerdings muss man sich das dynamische Verhalten letztendlich doch mit Beschaltungs- und Ansteuerimpedanzen anschauen, die der Anwendung nahe kommen.
Muss? Welch ein Unfug. ...ich bin und bleib ne altmodische und einfältige TekkiSeele, dass ich glaube man muesste sich seine Schaltungen so genau anschauen...
Moderne Ings der neuen Supermächte machen das eher so.
Aufbauen, einschalten, BUMM: Can't work.
Aufbauen, einschalten, nicht BUMM: Can work. Ready for mass production.
Und irgendwie gibt der wirtschaftliche Erfolg den Jungs zumindest teilweise recht.
10.01.2010, 11:14 AM
Hi
Das Analogverhalten von HV-Schalttransistoren neueren Datums ist allgemein unzureichend dokumentiert. Vielleicht gibt es da viel größere Schwankungen. Meiner Meinung nach kann man ein derartiges Bauteil in Analoganwendungen nur in Kaskodeschaltung vernünftig betreiben. Damit verschwindet auch die Problematik h[sub]FE (Uce)[/sub] im Niedervoltbereich, wo es außerdem noch genügend bessere Transistoren gibt.
Grüsse.
Das Analogverhalten von HV-Schalttransistoren neueren Datums ist allgemein unzureichend dokumentiert. Vielleicht gibt es da viel größere Schwankungen. Meiner Meinung nach kann man ein derartiges Bauteil in Analoganwendungen nur in Kaskodeschaltung vernünftig betreiben. Damit verschwindet auch die Problematik h[sub]FE (Uce)[/sub] im Niedervoltbereich, wo es außerdem noch genügend bessere Transistoren gibt.
Grüsse.
Bei Dicky Hoppenstedt konnte das Geschlecht auch nicht so einfach bestimmt werden.