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Im Modell findest du:
* External Node Designations
* Node 1 -> Drain
* Node 2 -> Gate
* Node 3 -> Source
Im Symbol findest du:
SYMATTR Description P-Channel MOSFET transistor
PIN 0 80 NONE 0
PINATTR PinName G
PINATTR SpiceOrder 1
PIN 48 96 NONE 0
PINATTR PinName S
PINATTR SpiceOrder 2
PIN 48 0 NONE 0
PINATTR PinName D
PINATTR SpiceOrder 3
Nodes und Spiceorder sollte übereinstimmen.
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Die Symboldateien in
#32 sind korrigiert. Nun bekomme ich dasselbe erstaunliche Ergebnis wie Gucki
.
Ich kann mir nicht vorstellen, wie man mit einem 10 MHz-Scope Nanosekunden-Impulse, bzw. Impulslücken untersuchen will.
Ansonsten haben wir alle Teile hier rumliegen. Das ist kein Thema, das mal schnell zusammenzukleben. Nur warum soll ich das tun? Klüger werde ich durch einen Praxistest auch nicht, weil selbst bei negativem Ausgang wüsste ich nicht, ob das Scheitern nicht an irgendeinem Nebeneffekt liegt.
Ne... zuerst brauchen wir theoretische Absicherung. Wenn man ahnt, worauf man zu achten hat, erst dann macht ein Praxisversuch Sinn.
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@Gucki: setz mal eine Induktivität in Reihe zu Rload und ändere das Tastverhältnis...
Bei gleichem Tastverhältnis hatte ich das schon gemacht. Ich checks gleich.
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Bin halt kein d-amp-Bauer
.
Seh ich das richtig - ein CD4069 reicht für Stereo
?
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Naja, die Endstufe ähnelt auch immer mehr den klassischen CMOS Gattern ... das muss gehen
Letztlich muss man nur sehen ober der Aufwand mit den vielen Fets lohnt oder ob ne konventionelle DT Generierung langt ...
"Ich hab Millionen von Ideen und alle enden mit Sicherheit tödlich."
Die klassischen C-MOS-Gatter haben Querströme.
Der Trick in diesem Thread liegt in der sonderbaren Art der UNDierung, die die Querströme ganz offensichtlich unterbindet.