[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von alfsch

Zitat:Q3/4 haben doppelte funktion: einmal "amplified diode" zur bias einstellung , zum anderen die korrektur der nichtlinearität.

ad1. stimmt bias q8/10 ?
ad2. korr.-balance wird mit r7+r8 eingestellt

Der Ausgang flippt mir immer hin oder her. Mal springt die Ausgangsspannung etwas nach Plus. Und mal etwas nach Minus. Dann fließt Laststrom. Aber einen richtigen Ruhestrom krieg ich nicht hin.

[alfsch]

...ja, klar
erst mit r3 +r5 bias sinnvoll einstellen
dann korr.-balance mit r7+r8

[Rumgucker]

So lange diese flippige Endstufe nicht in einem Servoverstärker in der Airbus-Flugstabilisierung untergebracht wird, mach ich jeden Schabernack mit...

[Rumgucker]

Ich kriegs nicht hin, alfsch . Die Endstufe ist ein bistabiler Multivibrator.

Wie hast Du denn Deine "ohne GK"-Schaltung gestaltet?

[alfsch]

Zitat:Wie hast Du denn Deine "ohne GK"-Schaltung gestaltet?

zwecks klarem vergleich amp gelassen, nur gk irgendwo bei q11 statt am output. somit gleiches frontend, nur die "super-a" schaltung ohne gk.

[Rumgucker]

Ich hatte noch zusätzlich Eure beiden (ausgedachten) Endstufentransistoren gegen realistischere TIP3055/2955 ausgetauscht - vielleicht liegt da auch noch ein Geheimnis.... ich werde mich nachher nochmal ransetzen.

[Rumgucker]

Es lag hauptsächlich an den Endtransistoren. Kleine Varianzen bei denen führen zu großen Änderungen im Ruhestrom. Wenn ich dagegen pingeligst die Vorgaben beibehalte, scheint alles bestens zu laufen:

[Benno]

Sorry das ich mich jetzt erst melde, hatte keine Zeit die letzten Tage.

@Rumgucker: Genau. Du benutzt andere Endtransi Modelle in deinem Beitrag Nr. #18, deshalb hast du 200mA Ruhestrom. Mit den Modellen 2N3055 und "2N3055P" sind es jeweils ca. 40mA. Die Einstellung Ruhestrom wie gewohnt am R24.

@Alfsch: Oh, ja hab ne Weile gegrübelt, bis ich's gerafft habe, wie das mit den amplifieed Diodes funktioniert. Ich denke, es ergibt sich eine Widerstandsbrücke aus beiden R2 und beiden R4+R3. Diese Brücke steuert T1/T2 an der Basis und spiegelt über das Widerstandsverhältnis R2:R1 eine eventuelle Brücken Unsymetrie Spannung (Unbalance) um 180Grad phasengedreht an der Basis T3 bzw. T4 wieder. Dabei wird der Strom durch T1/T2 jeweils gegenphasig geregelt (T1+T2=Fehlerkorrekturverstärker) und bestimmt über den Spannungsabfall an R1 den Basisstrom von T3 bzw. T4. Die Nichtlinearitäten in der Stromverstärkung der Endtransistoren wird durch diese R- Brückenschaltung kompensiert und der Treiberstrom bzw. die Endstufen Eingangsimpedanz wird linear. Mit anderen Worten: Eine starke lokale Spannungsgegenkopplung in der Endstufe, ähnlich einer Servosteuerung/Regelschleife. Schwankungen der Lautpsrecherimpedanz und Blindleistungen haben kaum Einfluss auf die Ausgangsspannung, der Dämpfungsfaktor der Endstufe ist sehr hoch.
So ähnlich wie die Hawksford Schaltung mit den "amplified Diodes" funktioniert meines Erachtens auch meine PPP-OTL Röhren Schaltung:
[Bild: PPP_OTL_diff.gif]
Der komplette PPP-OTL Artikel (mit LTSpice Simulation und den Röhrenmodellen) ist hier:
http://www.moehrenbude.de/Moehre/modules...age&pid=71

Grüße, Mario.

[Benno]

Schön, wie einfach es ist, das umgekehrte "2N3055P" Model zu "includen" statt die Standard.bjt zu ändern, da bin ich selbst nicht drauf gekommen !

Auf die Idee mit den Schottky Dioden bin ich nur gekommen, da ich überall gelesen hatte, das Endtransis um Größenordnungen langsamer ein- und ausschalten als Kleinleistungstransis oder ebend Dioden und speziell Schottky's. Wichtig ist nach meiner Erkenntniss auch die Sperrschicht Kapazität des ein- und ausgeschalteten Halbleiters im Verhältnis zur Impedanz des Treibers und auch der Recovery Effekt der Endtransis. Ich denke jedenfalls, eine (zu) große Eingangskapazität bei (zu) großer Treiberimpedanz erzeugt im Zusammenspiel mit einer (über Alles-) Gegenkopplung eine "gedämpfte Schwingung" beim Schalten vom Ein- in den Auszustand. Es ergibt sich aus der Eingangskapazität und der Treiber Ausgangsimpedanz eine Zeitkonstante in Verbindung mit einer Hysterese der Endstufen Halbleiter beim ein- und ausschalten.
Ist die große Eingangsimpedanz der Endstufenhalbleiter in einer lokalen Regelschleife, z. Bsp. wie bei Hawksford's "amplifieed Diodes" wird diese Schalt- Schwingung (Störimpuls) viel stärker gedämpft. So habe ich das mit den Switching Distortions jedenfalls verstanden, das kann aber auch ein Irrtum bzw. "Voodoo" sein. So genau habe ich das bisher nicht nachgeprüft.
Das grundsätzlich "irgendwas" ein- und ausgeschaltet werden muss, bedingt ja die Betriebsart Klasse AB oder -B. Beim Novel Amp. schalten zum Beispiel die 6 kleinen Dioden der Minimum Mimik.
Ich kann mir jedenfalls vorstellen, das Schottky's ein idealeres Schaltverhalten haben als Transis, zumal die Dioden auch Nichts verstärken müssen/können, sondern in der "lickerfree OPV" Anwendung nur niederohmig "getrieben" werden. Eine Kompensation der Stromverstärkungs Nichtlinearitäten der Endstransis bieten die Schottky's aber nicht, hier muss ich das noch verbessern. Der "lickerfree OPV" hat einen simulierten "open Loop" Klirrfaktor von ca. 15....18%, bei ca. 5V Ausgangsspannung, wobei dieser Klirrfaktor erwartungsgemäß stark mit der Aussteuerung ansteigt. Bis zum Endstufentreiber ist Alles linear, aber die Endstufe verstärkt den Strom immer weniger mit steigender Aussteuerung, die Endstufe müsste ich also ggf. noch einmal lokal gegenkoppeln. Ich werde ev. mal in der Simulation ein Endstufen Tripel einsetzen und die überflüssige Verstärkung dann lokal gegenkoppeln.

Mario

[oldeurope]

Zitat:Original geschrieben von benndoma


Das grundsätzlich "irgendwas" ein- und ausgeschaltet werden muss, bedingt ja die Betriebsart Klasse AB oder -B. Mario

Falsch. Aber wer will das schon wissen, Dein Denkmodell baut ja auf dieser Behauptung auf.
Richtig: Das "irgendwas" ein- und ausgeschaltet werden muss,
bedingt die Betriebsart Klasse D.

[Rumgucker]

Man sieht ja in #47 wunderschön, wie es funktionieren könnte....

Bei hoher Aussteuerung übernimmt eine Seite der Endstufe den Laststrom zzgl. ein paar Milliampere Querstrom. Bei niedriger Aussteuerung addieren sich beide (gebogenen) Transistor-Ströme derart, dass sich der korrekte Ausgangsstrom bei ein paar zig Milliampere Querstrom ergibt.

Da "schaltet" nichts. Mir erscheint das eher wie der e-förmige sanfte Übergang von wenigen Milliampere bis hin zu vielen Ampere.

[Benno]

Den e-förmigen Übergang im Fusspunkt der Arbeitsgeraden haben ja unter Anderem die Röhren - das ist imho "ideal". Diese steuern immer weiter zu, schalten aber nicht schlagartig aus, so wie Transistoren bei unterschreiten der Ube Flussspannung oder MOSFETS beim unterschteiten der Abschnürspannung UT. Die Eingangsimpedanz der Röhren bleibt in diesem Übergangsbereich konstant (extrem hoch). Ich denke, MOSFETS haben in diesem Bereich die größte Eingangskapazität / Umladungsenergie und Transistoren haben direkt einen harten Knick von leitend zu isolierend. Dieser e-förmige Übergang wie in #47 ist mit Transistoren imho einfach zu erreichen, indem die Treibertransistoren hier mit R7+R8 ein zusätzlichen (Quer-) BIAS bekommen - quasi "zusätzlich vorgestromt" werden. Bei höhren Aussteuerungen müssen die Endstransitoren dann hierbei aber auch irgendwann vollständig sperren (Ib,Ic=0mA). Benutzt man jedoch statt R7+R8 jeweils Konstantstromquellen (und ev. Schottkys) für den Quer-BIAS (Minimalstrom), schalten die Endtransistoren auch bei Vollaussteuerung oder Übersteuerung nicht aus. Man kann diese Schottky Minik ja auch an die Emitter der Treiber legen, dann ist allerdings leider eine Temperaturabhängigkeit des Minimalstroms gegeben.
Man stelle sich vor, die Aussteuerung ist exakt so groß, das die "inaktiven" Endtransis nicht wissen ob an oder aus, beispielsweise bei Ic=10µA. In diesem Bereich sinkt die Stromverstärkung der Transis stark und nichtlinear ab, so habe ich es jedenfalls gelesen. Der Treiber muss in diesem Bereich also im Verhältnis zur Aussteuerung erst immer mehr Stromhub bringen (wg. der sinkenden Stromverstärkung) und wenn Ube min unterschritten wird --> ausgeschaltet, plötzlich überhaupt keinen Stromhub mehr. Das bedingt meiner Meinung eine sehr kleine Treiber Ausgangsimpedanz, so das es dabei nicht zu Verzerrungen "die heisen Notches?" kommt - oder ist überhaupt nicht vollständig zu vermeiden wenn die Endtransis ausschalten und wieder einschalten. Wie weit beeinträchtigt der Recovery Effekt, der ja nur beim Schalten auftritt diesen Übergang in den Sperrbereich - und zurück ?

Mario.

[Benno]

Habe in der Richtung Ein- / Ausschaltverzerrungen von Endtransistoren einmal eine ganz einfache Simulation gemacht. Dabei stellte sich heraus, das die Schottky Dioden + Minimalstrom Minik scheinbar überhaupt Nichts bringt. Im Gegenteil, nimmt man große Schottky's, mit Iave=7,5A ist das Ergebnis scheinbar schlechter als ohne Schottky's und einfach mit 2N3055. Auch ein zusätzlicher Minimalstrom liefert scheinbar schlechtere Ergebnisse, als die herkömmliche Verschaltung ohne den ganzen "Schottky + Minimalstrom Firlefanz".
ABER: Es ist ein signifikanter Unterschied, ob man den Kollektorstrom oder den Emitterstrom betrachtet. Der Kollektorstrom ist auch bei hohen Frerquenzen so wie es sein sollte, wird exakt ein- und wieder ausgeschaltet mit etwa einer e-Funktion. Im Emitterstrom ist dagegen ein Überschwingen, eine deutliche Basis Entlade-Stromspitze zu erkennen. Ich folgere nun daraus, das die Endtransistoren in Emitterschaltung (Last im Kollektorkreis) wesentlich bessere Ergebnisse liefern sollten, als wenn sie als Emitterfolger (Last am Emitter) betrieben werden. Weiterhin ist dabei deutlich erkennbar, das mit sinkender Treiber Ausgangsimpedanz diese Entlade-Stromspitze im Betrag stark zunimmt und dafür in der Dauer abnimmt. Diese Entlade - Stromspitze ist im Kollektorstrom überhaupt nicht erkennbar.



Überrascht hat mich das Verhalten eines Mosfets. Da liest man immer wieder von sehr hoher Eingangs- und Millerkapazität, aber in der Simulation konnte ich im Sourcestrom überhaupt keine Entlade Stromspitze erkennen. Es scheint, als ob Power Mosfets wesentlich besser und exakter ein- und ausschalten können, als Ihre bipolaren Vettern.
Ich werde nun versuchen, diese Erkenntnisse in Endstufen Simulationen zu vergleichen - einmal Endtransis als Folger, einmal in Emitterschaltung und dasselbe mit MOSFETS. Bin schon gespannt, was dabei raus kommt.

https://stromrichter.org/d-amp/content/i...rungen.asc

Euer Mario

[Rumgucker]

Hehehe... ich habe zwei Neologismen ("Bioptimator", "Trioptimator") geprägt und obendrein das Wort "Firlefanz" gesellschaftsfähig gemacht.... Damit habe ich Forumsgeschichte geschrieben... ;baeh

<--- stolz ist


...und die Worte "Wickeltüddelüt" und "Dingenskirchen" nicht zu vergessen...

[kahlo]

stolz kannste sein, wenn jemand in diese Neologismen investiert ;deal2



;baeh

Und gegen den Bioptimator gibt es ein Zapperkeszulek (Bioptimator-Zapper)

[Rumgucker]

Muss man die beiden blanken Dinger in den Händen halten? Dann wär mir die Ergänzung "Zapper" absolut verständlich.

Vielleicht sollten wir unserem Bioptimator die Ergänzung "Smoker" anhängen, wenn ich so an die MOS-Verluste denke

[alfsch]

Zitat:Muss man die beiden blanken Dinger in den Händen halten?

ja klar ! sonst zappt ja nix

[Benno]

Also ich kann da nur erkennen, das die ungarischen Gurken mit einem stumpfen Messer geschnitten wurden, Schneidekante ähnlich e-Funktion....
Vielleicht sollten wir stumpfe Dioden (das Gegenteil von Spitzendioden) benutzen um die E-Funktion hinzubekommen, oder gleich die Si-Wafer mit stumpfen Messern schneiden, damit es keine Basis Entlade Stromspitze gibt .... ?