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???
Wollt ihr die D-Amps ins All schiessen ?
Sonst sehe ich keine Verwendung für "Radiation harded" MosFets...
*wunder* ....
"Ich hab Millionen von Ideen und alle enden mit Sicherheit tödlich."
Hallo
Hier mal ein diskreter Treiber mit Standard Bipolar, aber als Thyristoren
verschaltet. Propagation delay ca. 30ns Rise time ca.40ns mit 10nF last.
Gruß Joel
Hm
bekomme keine Bilder hochgeladen? Wie geht das?
Administrator
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bilder...guckstu
http://d-amp.org/include.php?path=forum/...readid=212
und sinnig: wenns zb ein jpg bild is, nenns auch so: xxxx.jpg bzw png usw.
sonst findets nie wieder jemand...der forum-server auch net
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jo, interessant...nicht übel...
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Das eigentlich interessante ist das die BC857,847 tatsächlich wie in der Simulation die Peakströme von ca. 1,5A (4,7nf Last)
treiben können. Da deckt sich die Simulation mit der Praxis. Ob die Transistoren bei diesen Strömen auf Dauer überleben, habe
ich allerdings nicht getestet. Angedacht war diesen Treiber in einem UCD a la putzey einzusetzen um die Verlustleistungen
in den Treibern zu minimieren.
Gruß Joel
Ja. Finde ich auch interessant. Aber der Aufwand erscheint mir auch recht hoch, wenn ich mir das ganze auch noch mit der high-side-Treiberei und der Bootstrap-Sache vorstelle. Rund 25 Bauteile.
Administrator
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jo, das problem für die bc.. treiber seh ich darin, dass der peak-strom voll über deren basis geht...ob die das auf dauer so abkönnen...kann nur der reale test zeigen ;deal2
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Naja die Basis ist schon belastbar. Bei vielen Transistoren entspricht der maximale Basisstrom dem maximalen Kollektorstrom.
Ich hatte meine Schaltung 1/2 Tag am laufen mit symetrischen Input von 10KHz und 4N7 als Last.
Das mit der Anzahl der Bauteile sehe ich genauso. Mein Ziel ist es einen hocheffizienten Verstärker mit ca. 50W Ausgangsleistung zu bauen mit Idle Power Loss < 1W. Der Original UCD hat hier ca. 3-4W bei +-40W Versorgung. Bei genauer
Betrachtung stellt man fest das das die meiste Energie in den Treibern verbraten wird. Daher dieser Ansatz.
Letztendlich bin ich bei einem Konzept mit IRS20955 gelandet.
Gruß Joel
...ansonsten kämen sicherlich noch BC807 und BC817 in Frage.
Billig und in Europa recht gebräuchlich und fast schon ZETEX-ähnliche Eigenschaften...
Aber nun zur Treiberschaltung:
Wie verhält sich das Teil bei kurzen Pulsen? So 'aussm hohlen Bauch' würde ich ne unerwünschte Pulsverlängerung befürchten.
Captain-Chaos
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Hallo Joel,
den irs20955 habe ich wegen der Einfachheit auch schon in Betracht gezogen. Allerdings schwebt mir eine Leistung von etwa 100Watt als Brückenschaltung vor. Ideal wären die Directfets von IR, aber die sind mir zu teuer und zu umständlich zu löten. Der irl520n ist auch nicht übel und kostet weitaus weniger(80cent).
Bisher sind meine Prototypen immer in der Übersteuerung abgeraucht, nicht im Kurzschluss! Zukünftig werde ich das Signal per Dioden im Eingang begrenzen und genug Betriebsspannug als Reserve dimensionieren.
Wenn jemand einen besseren Mosfet für das Projekt weiß, bitte melden, nur bitte beschaffbar und nicht allzu teuer. Demnächst habe ich Urlaub und Zeit für was Neues.
Grüße Patrick
@Chocoholic
Eine Impulsverlängerung findet statt da ein Umschalten erst dann möglich ist wenn der Thyristor sich selbst gelöscht hat. Diese Schaltung funktioniert nur bei rein kapazitiven Lasten.
Belaste ich den Ausgang mit einem Widerstand gegen Masse kann es ab einem kritischen Wert dazu führen das der Thyristor sich
niemals selbst löscht. Die minimale Pulsbreite (Impulsverlängerung) variiert mit der kapazitiven Last. Bei 4N7 liegt sie bei
ca. 300ns, bei 10nF bei ca. 400ns. Und es funktionieren eigentlich nur die BC54... NPN und BC55..PNP Transistoren. BC807 und
die FMMTs funktionieren nicht vernünftig.
Gruß Joel
@Rumgucker, Captain-Chaos
Bei einem diskreten Damp mit allen Schutzfunktionen + Spannungsreglern kommt einiges an Bauteilen zusammen. Da bietet der IRS20955 klare Vorteile. Die IRF Direktfet können nur Lötkolbenakrobaten
löten.
Ich habe mir Samples vom IPD64CN10N von Infineon besorgt. Dies ist ein
Optimos 2 Transistor der die IRF Fets locker in den Schatten stellt:
VDS=100V, RDSon=64mOhm, ID=17A, Ciss=428pF, Coss=132pF, Crss=6pF !!!!
Total Gate Charge = 6nC !!
Gruß Joel
Ich habe meine von Sasco Holz als Samples erhalten. Hier mal das Switchercad Modell mit MOS Tool erstellt:
* MODELLING FOR IPP64CN10N
.subckt IPP64CN10N 1 2 3
LG 2 5 7.5f
LS 6 3 7.5f
LD 4 1 4.5f
M1 4 5 6 6 IPP64CN10
Db 6 4 dbody
.MODEL IPP64CN10 VDMOS(KP=6.6176 RS=0.0001 RD=0.0203 RG=1.6 VTO=3.86 CGDMAX=194p
+CGDMIN=5p CJO=457p Vj=0.75 M=0.3493 CGS=422p N=1 IS=1.00E-07 RB=0.03 TT=101n)
.model dbody d ron=0.1 vrev= 100 vfwd=2
.ends
*
Im Datenblatt sind die Leitungsinduktivitäten nicht spezifiziert, jedoch
kann man hier die Standard Werte 4,5nH bzw. 7,5nH annehmen. Im Modell habe ich sie auf Femtohenry gesetzt um leichter simulieren zu können.
Gruß Joel
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Oh spannend hier...
Mit der Thyristorvariante kann ich mich auch nicht so anfreunden
Die Viecher neigen zum hängenbleiben beim Löschen...
Wegen löten der DirectFET ... da würde mir nur Heißluft oder Pizzaofen-Reflow einfallen, nur ist die Platine nicht so banal, die muss als Kühlkörper herhalten ! Das wird nicht bilig, extra Kühlmassefläche >70µ CU mit Thermovias...
Für Hobby sind die eher aus der Sicht zu teuer, denke ich.
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