[Basstler]

Hem....bei der nächsten Digikey Bestellung kommen die mit, ich probier das mal....
http://ixdev.ixys.com/DataSheet/99061.pdf

BTW:
2,16 ?
Cheap, cheap.....

[Rumgucker]

....muss man denn in diesem Saftladen a l l e s alleine machen?

[phase_accurate]

Die parasitären Induktivitäten der FETs sind zwar tatsächlich Bremsen. Aber müssen wir tatsächlich den Strom so schnell schalten können ?
Am Ausgangsknoten der Schaltstufe hängt ja im Normalfall eine Induktivität, oder ?

Edit: Natürlich müssen wir, habe wohl einen "geistigen Schnellschuss" abgefeuert.

Ich kenne noch jemanden, der hatte eine an sich geniale Idee welche aber noch Detailprobleme machte. Er hat sie nie veröffentlicht und ich weiss auch nicht, ob er sie selber kommerziell verwendet. Werde ihn mal anfragen. Falls er grünes Licht gibt werde ich es hier posten.

Gruss

Charles

[phase_accurate]

Eine methode zum Verringern der parasitären Induktivitäten ist die Parallelschaltung von FETs.
Man handelt sich damit natürlich wieder andere Probleme ein.....

Wahrscheinlich müsste ein gutes Layout für parallele FETs in drei Dimensionen optimiert werden.

Gruss

Charles

[Rumgucker]

Sehr gut, Charles! Ich hänge sozusagen an Deinen Lippen. Sooo abwegig fand ich Deine Frage zum Stromzeitprofil auch nicht. Ganz und gar nicht.

[Rumgucker]

Idee:

wir schalten jeweils zwei MOS in Reihe. Also in der low-side zwei in Reihe und in der high-side zwei in Reihe.

Da sie jeweils in Reihe liegen, bilden sie ein "UND-Gatter". Es fließt also nur Strom, wenn sowohl der eine als auch der andere MOS eingeschaltet hat.

Damit sind die jeweiligen Steuerpulslängen unerheblich. Wichtig ist nur noch die Phasenverschiebung zwischen den Impulsen.

[Basstler]

Klasse, hat man mit vier Backdioden zu kämpfen.

Aber die Gateansteuerung dürfte interessant werden...
Die Physik lässt sich leider nicht so leicht überlisten, der Strom kommt nicht an.

Die Idee mit MHz hatte schon Tripath, dort geht das nur bei kleiner Leistung (Taktfrequenz wird dynamisch angepasst). Und das die Dinger öfter Schaden aufgrund spontaner Selbstentzündung der Fets machen, ist bekannt ?!

Gut, bin definitiv kein HF Experte...daher sei mir die Skepsis verziehen.

[Rumgucker]

ON-Semi bewirbt "ZPCMOS". Das sind MOS, die die ganze Gate-Beschaltung schon mit draufhaben. So spielen Zuleitungsinduktivitäten nur noch eine geringe Rolle. Aber ich finde keine Bauteilbezeichnungen! Noch zu neu ... oder schon wieder eingestampft...?

[alfsch]

naja...zpmos


eigentlich für leuchtstoff-röhren-treiber, macht halt gate "leichter" zu
wohl nix für power + 25ns

[Rumgucker]

Ja. Die Grafik hatte ich auch. Wir bräuchten mal eine Typenbezeichnung oder gar ein Datenblatt.

[Basstler]

Ehm...die Induktivität des Treibers ist nur ein (kleineres) Problem,
der Laststrom kommt nicht weit.... ;deal2

[Rumgucker]

Das weißt Du ohne Datenblatt?

[phase_accurate]

Datenblatt hin oder her - ich kann mir auch nur schwer vorstellen, dass die induktiven Verhältnisse bei den Drain und Surce anschlüssen stark ändern wenn man bei Gate etwas modifiziert.

Man müsste sich überlegen, wie man eventuell die parasitären Elemente zu seinen Gunsten nutzen kann.

Gruss

Charles

[Rumgucker]

Also Resonanzkreise. So wie Choco vorgegangen ist?

[Basstler]

Alles ist möglich !!!

Solange man nicht an physikalischen Grenzen stösst !
Und da sind wir, wir wollen Schaltzeiten erreichen, die aufgrund der Induktion nicht MÖGLICH sind.

Einziger Ausweg, ein Material finden, welches keine Induzktion aufbaut, während es vom Strom durchflossen wird.....Unmöglich ! ?

Naja, kein Plan was den Physikern noch einfällt...der Ohmschen Widerstand konnten sie schon quasi abschalten....wenn das mal mit der Induktion machbar ist, dann gibts die 5ns Schaltstufe.

Solange selber forschen oder warten.....

BTW:
Gucki, dafür braucht man kein DB, Alfsch hats klar ausgedrückt.
Der elektrische Strom hat eine endliche Geschwindigkeit !
Somit ergibt sich ein maximal mögliches di/dt ... welches kein Bauteil überschreiten KANN .... das ist das Problem.

Selbst wenn man es hinbekommt ein 50nF Gate in <10ns umzuschalten, der Laststrom kann einfach nicht schneller durch den Leiter fliessen. Frag mal die Kompjuter-Entwickler....warum wollen die wohl auf optische Datenübertragung umsteigen ?!
Ein Prozessor mit >4GHz funktioniert nicht mehr richtig. Die Daten, gerade bei der veralteteten Parallel-Verarbeitung, kommen nicht mehr rechtzeitig da an, wo sie gebraucht werden.....

Ich persönlich finde es schon äusserst spannend, das wir hier an den physikalischen Grenzen des Machbaren kratzen...das ist schon eine Leistung, auf die wir mehr als stolz sein sollten !

Andere bekommen nichtmal ein 200kHz SNT zum laufen und wir wollen in <10ns richtig Leistung schalten....WIR sind die Grössten !

[Rumgucker]

Jajaja... immer in die Wunde....

Ich bekomme das 200kHz SNT für den D-Amp mit Röhren NOCH nicht zum Laufen, weil es möglichst auch mit irgendwas zu tun haben soll, was zumindest röhrenförmig aussieht. ;deal2

Denn wenn ich wieder was mit Sand mache, dann würden die Jogis wieder rummeckern. Gerd vorneweg....

----

Für heute hatte ich außerdem mein Erfolgserlebnis. Ich hab ein uraltes Braun Blitzgerät reaktiviert. Noch mit AD133 im Wandler. Einmal das volle Programm. NiCd-Accus waren trocken, HV-Kondensatoren formatieren.... aber nun läuft die Kiste.

Blöd nur, dass ich keine Idee hab, was man damit anfangen kann. Eine 550V-Quelle mit massig Ladung, die kurzgeschlossen werden darf....

[Basstler]

Upps, die Wunde kannte ich nicht ...
Das war ein Unglückstreffer

Ehem, die Ladungsquelle könnte man zum beschleunigen kleiner Magneten nehmen...den Link haste ja selbst geliefert....
Rohr, paar Windungen Starres CU rum und nen Thyristor zum Zünden....
Gibt mehr Sicherheit auf den Radwegen....

[Basstler]

Wegen Resonanz....hem... schneller Schalten kann zwar nicht, aber eventuelle Verluste reduzieren, nur was wollen wir mit nem Sinus ?

Was Choco gemacht hat, bremst (!!) das di/dt damit die Backdiode nicht so schnell aufmacht.
Ob man das auch absaugen kann ? Die Ladung der Sperrschicht...

[Gerd]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

Jajaja... immer in die Wunde....

Ich bekomme das 200kHz SNT für den D-Amp mit Röhren NOCH nicht zum Laufen, weil es möglichst auch mit irgendwas zu tun haben soll, was zumindest röhrenförmig aussieht. ;deal2

Denn wenn ich wieder was mit Sand mache, dann würden die Jogis wieder rummeckern. Gerd vorneweg....

du kannst es nicht lassen, hä?
Ich bin keine Jogi, und hab Dir von Anfang an gesagt, daß da sinnvoll nur mit FETs gearbeitet werden kann.
Noch Fragen, Hauser?

Zitat:Für heute hatte ich außerdem mein Erfolgserlebnis. Ich hab ein uraltes Braun Blitzgerät reaktiviert. Noch mit AD133 im Wandler. Einmal das volle Programm. NiCd-Accus waren trocken, HV-Kondensatoren formatieren.... aber nun läuft die Kiste.

so so, Elkos formatiert
Auch wenn es sich in gewisser Weise auch um ein Speichermedium handelt, ist formatieren bei einem 1-bit-Speicher völlig unnötig, zumal der Inhalt ja sowieso gelöscht war. Einfaches formieren der Oxidschicht hätte völlig ausgereicht

{quote]
Blöd nur, dass ich keine Idee hab, was man damit anfangen kann. Eine 550V-Quelle mit massig Ladung, die kurzgeschlossen werden darf.... [/quote]

na, einfach in ein Kunststoffgehäuse einbauen, mit 2 großen Metallflächen, und einem aufkleber "Vorsicht Hochspannung! Weitere Hinweise siehe Bodenplatte."

[Rumgucker]

Gerd: das ist so ähnlich wie die Diskussion, ob es "edieren" oder "editieren" heißt. Auch beim "formieren" vs. "formatieren" gibt es keinen sinnmäßigen Unterschied. Es gibt noch mehr derartige Beispiele...

WENN es einen Sinn dieser gleichartigen Worte gibt, dann der, dass der eine oder andere Verbal-Dilettant meint, dass man einen Fehler macht, wenn man "Software edieren" bzw. "Kondensator formatieren" sagt....