Wenn ich statt der Spulen feste Batterien nehme (2V) hab ich immer noch Spikes.
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#Stimmt.. die Philips-Luschen schaffen ja auch nicht die geforderten "100ns".
klar, die gate-xor-logik braucht ja auch ne minimal-zeit, stell dir vor, was so ne schaltung bei nem 1ns-glitch kreatives tun würde
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower
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Bin schon da
, nicht das ich auch noch gelöscht werde
.
Nicht "gelöscht". Die moderne Gesellschaft hat doch wesentlich subtilere Begriffe geprägt.
Ich würde sagen, daß ich unsere inaktiven Admins freigestellt hab.
Das hört sich doch wesentlich freundlicher an. Wer will schließlich nicht frei sein?
Aber im Ernst: ich hab die Pappenheimer nur zur Sicherheit fürs Forum runtergestuft. Sobald sie wieder online gehen, mach ich sie wieder zu Admins.
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ein modernes märchen:
DON QUICHOTTE im kampf gegen spikes und glitches
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Wahrscheinlich ist es besser, wenn wir die Dioden in der Sourcezuleitung einschleifen.
Dann können wir sie besser kühlen, weil da dann kaum HF drauf liegt.
Mal ganz anders: wenn wir niederohmige Schottkys den MOS invers parallel schalten würden, dann müßten wirs auch schaffen!
Der Spannungsabfall darf nur nie über ein paar hundert Millivolt ansteigen.
Um Induktivitäten zu vermeiden sollten Drain und Source direkt an den Diodenterminals angeschlossen werden.
Wir brauchen mal richtig gute Schottky-Dioden!
Weder meine Reihenschaltung von Schottkys noch die Parallelschaltung einer wirklich guten Schottky ist neu.
Es gibt MOS mit paralleler Schottky zu kaufen (was wegen der Induktivitäten vorteilhaft ist) und die 4 Schottky in der Halbbrücke (#312) ist konventionelle Schaltungstechnik.
Mittlerweile bin ich dafür, die Schottkys mit Drain in Reihe zu schalten, also so, wie es üblich ist.
Diese Reihenschaltung reduziert signifikant die Kapazität vom heißen HF-Pol gegen Masse, weil die Transistorausgangskapazitäten mit der Diodenkapazität in Reihe liegen.
Blöd ist nur, daß die Inversdiden den Ausgang wieder belasten. Allerdings haben gute Schottkys nur wenige Pikofarad.
Was ist nun? Gehts hier nicht weiter? Was wissen wir denn nun?
Erstens mal muß man festhalten, daß Alfschs Schaltung äußerst einfach, sehr trickreich und offensichtlich brauchbar ist.
Allerdings erreicht man wirklich hohe Geschwindigkeiten und Wirkungsgrade erst nach Maßnahmen gegen Querstromspikes. Einerseits dient dazu Alfschs "break-before-make"-Gatebeschaltung. Andererseits muß man die beiden MOS mit insgesamt vier normalen, bzw. zwei sehr guten Schottkys beschalten. Weniger tauglich erschien mir persönlich Alfschs Spannungstransformations-Trick, weil er schwierig abstimmbar ist.
Mit Alfschs Grundschaltung und mit zusätzlichen vier Dioden bei geschickter Bauteilauswahl erscheinen auch "25ns" erreichbar.
Soweit haben wir die Sachen im Sack.
Nun müssen wir das noch absichern, alle die Schaltung verstehen (sonst kann man sie nicht aufbauen) und uns Layoutgedanken machen.
...und dann sollten wir uns wieder den Modulatoren zuwenden und checken, ob die Endstufe wirklich taugt.
Vermutlich hab ich Deine Frage nicht verstanden....
Wenn Du einen Dreieck von beispielsweise einem MHz haben willst, so stell bitte t_rise = t_fall = 500ns. Und t_on = 0. Und t_periode = 1us.
Aber das meintest Du mit "Rampengenerator" nicht, oder?