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hier mal ein paar tests...
last: 10 ohm , bei ca 50v = 5A switching, 5r6 vor gate
H: 200ns/div v1: gate, 5v/div // v2:shunt, 5A/div
erstmal der (inzwischen) leidgeprüfte
irf640n
irf540z
irfb4227
irfp350
irfp460lc
irfz48
irg4bc40u
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und zum vgl:
kein fet, nur 5nf als "gate" Cgs
die kleinen peaks unten von etwa 1,5A kommen vom treiber in den 5nf cap.
und zur erheiterung
bu806 , 27 ohm vor basis, bei H: 1us/div
BU806/807. High Voltage & Fast Switching Darlington. Transistor
jo, echt schnell...
wundert mich nicht, dass in den glotzen immer der hv-teil abkackt
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avalanche durchbruch bei: +(max. betrieb.spg. 80% davon)
irf640n 225v
stb19nb20 206v
irfb4227 210v
irf540z 115v
irfp350 440v
irfp460lc 520v
540z geht also für amp mit +/-45v, 4227 für +/-85v
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hier mal kurzer test: irf540z gegen 540z-backdiode
last: 30uh , bei ca 50v = 5A switching, 5r6 vor gate
H: 200ns/div v1: gate, v2: 5A/div
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Das sieht aber übel aus....wie soll man da noch präzise schalten ?
Wie würde den ein pnp Gate-zuhalter die sache verändern ? Also niederohmig direkt am Gate....ich meine das sind nur 5A....was ist bei 30A ???
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jo, habs mal nicht kommentiert...
der strom-peak is wohl nicht tragisch...7a peak bei 5a on
happig is der -8v peak im gate signal
Zitat:ein pnp Gate-zuhalter
...muss erst den tester umbauen, hi-side schalten, damit das gate des "inaktiven" schön zu messen ist
problem wird sein: da beim peak-ende durch die diode rund 12a "durchschalten", hat der peak durch Cgd entsprechend "stoff"...ein pnp muss hier einige amperchen in 10ns abfangen, damit er was bewirkt
Zitat:was ist bei 30A
teste ich mal...hoffe nicht viel mehr, da die Qd ja nicht soviel vom strom abhängt
hier aus Byv29 datenblatt:
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Zitat:Original geschrieben von alfsch
...ein pnp muss hier einige amperchen in 10ns abfangen, damit er was bewirkt
Was auch wieder knifflich wird...
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