Version 4
SHEET 1 2580 1380
WIRE 304 384 272 384
WIRE 416 384 384 384
WIRE 544 384 480 384
WIRE 816 384 768 384
WIRE 272 480 272 384
WIRE 544 480 544 384
WIRE 768 496 768 384
WIRE 272 640 272 560
WIRE 544 640 544 560
WIRE 768 640 768 576
FLAG 544 640 0
FLAG 272 640 0
FLAG 544 384 ind
FLAG 768 640 0
FLAG 816 384 ET
SYMBOL ind 528 464 R0
WINDOW 3 -386 -285 Left 2
SYMATTR Value Hc=7 Bs=0.2 Br=0.08 A=0.000074 Lm=0.141 Lg=0 N=10 Rser=20m
SYMATTR InstName L1
SYMBOL diode 416 400 R270
WINDOW 0 32 32 VTop 2
WINDOW 3 0 32 VBottom 2
SYMATTR InstName D1
SYMATTR Value ES1D
SYMBOL voltage 272 464 R0
WINDOW 3 -140 -196 Left 2
WINDOW 123 0 0 Left 2
WINDOW 39 0 0 Left 2
SYMATTR Value PULSE(-14 14 0 1u 1u 10u 22u)
SYMATTR InstName V1
SYMBOL res 400 368 R90
WINDOW 0 0 56 VBottom 2
WINDOW 3 32 56 VTop 2
SYMATTR InstName R1
SYMATTR Value 1
SYMBOL bv 768 480 R0
SYMATTR InstName B1
SYMATTR Value V=idt(V(ind),0,(I(L1)<0))
TEXT 136 224 Left 2 !.tran 0 2200u 0 10n startup uic
TEXT 200 -184 Left 2 ;Hier: Großer Ferritring mit 10Wdg
TEXT 160 -256 Left 2 ;Der Transduktor als DC-Schalter - asymmetrische Magnetisierung
TEXT 152 -112 Left 2 ;Anwendung
TEXT 152 -72 Left 2 ;Gleichstrom-gesteuerter Eintakt-Verstärker oder
TEXT 144 96 Left 2 ;ETsat = Bs * A * n = 0,2 * 74u * 10 = 148uVs
TEXT 144 136 Left 2 ;ETrem = Bs * A * n = 0,08 * 74u * 10 = 60uVs
TEXT 144 744 Left 2 ;100 Magnetisierungszyklen
TEXT 152 -32 Left 2 ;eine Halbwelle eines Gegentakt-Verstärkers
TEXT 144 792 Left 2 ;Mit jedem Zyklus nehmen Sättigungs- und Remanenzinduktion ein Stück zu.